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公开(公告)号：CN117393422A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311685913.7
申请日：2023-12-11
摘要： 本发明涉及一种制造碳化硅复合衬底的方法，所述方法包括如下步骤：具有离子注入损伤层的碳化硅供体材料与半导体衬底材料键合，形成碳化硅复合结构；然后对碳化硅复合结构进行化学腐蚀，热处理后得到碳化硅复合衬底与碳化硅回收供体。离子注入损伤层的应力集中、应变能更大、其发生化学反应更加强烈，因此更容易发生化学腐蚀；本发明提供的方法能够实现因晶圆R型倒角或T型倒角而未键合的离子注入区域的完全腐蚀，最终所得碳化硅回收供体无需进行倒角或机械减薄，可再次作为供体材料进行使用。
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公开(公告)号：CN117233568A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311490359.7
申请日：2023-11-10
摘要： 本发明公开了一种载流子迁移率的计算方法和装置。该载流子迁移率的计算方法包括：采用预设条件对半导体材料进行离子注入；测量半导体材料的方阻；根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度；根据方阻、注入深度和掺杂浓度计算半导体材料的载流子迁移率。不仅避免了使用专业仪器进行载流子迁移率的测量及分析，节约了载流子迁移率的测量成本。同时在离子注入工艺的监控中实现载流子迁移率的测量，从而可以复用离子注入的工艺监控用于计算载流子迁移率，进一步地降低了载流子迁移率的测量成本。而且，根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度的模拟精度比较高，从而可以提高载流子迁移率的测量精度。
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公开(公告)号：CN117133637B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311397163.3
申请日：2023-10-26
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/16 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合，形成键合体；对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm，极差小于0.5mm，有效使用面积大于碳化硅复合衬底边缘向内排除2mm后的面积。衬底尺寸越大，本发明制备的复合衬底的有效使用面积占比越大，技术效果越显著。
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公开(公告)号：CN117020936B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311301304.7
申请日：2023-10-10
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/24 , B24D11/00 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： 片的表面进行紫外光辅助的化学机械抛光，提升本发明提供一种光催化复合抛光垫及其制 了抛光垫中催化剂的分布均匀性，兼顾了SiC晶备方法与抛光方法，所述光催化复合抛光垫呈圆 片的抛光移除率和抛光效果，从而获得高质量表饼状，包括层叠设置的软质层、交界层和硬质层； 面。所述软质层靠近交界层的一侧表面设置有至少1个环形沟槽，且所述环形沟槽将抛光垫的表面分隔成至少2个区域；所述交界层的内部分布有光催化剂，且沿着抛光垫中心到边缘的方向，所述光催化剂在不同区域内的含量呈线性递减的分(56)对比文件US 2023197482 A1,2023.06.22US 6364744 B1,2002.04.02WO 2015008572 A1,2015.01.22
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公开(公告)号：CN117233568B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311490359.7
申请日：2023-11-10
摘要： 本发明公开了一种载流子迁移率的计算方法和装置。该载流子迁移率的计算方法包括：采用预设条件对半导体材料进行离子注入；测量半导体材料的方阻；根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺杂浓度；根据方阻、注入深度和掺杂浓度计算半导体材料的载流子迁移率。不仅避免了使用专业仪器进行载流子迁移率的测量及分析，节约了载流子迁移率的测量成本。同时在离子注入工艺的监控中实现载流子迁移率的测量，从而可以复用离子注入的工艺监控用于计算载流子迁移率，进一步地降低了载流子迁移率的测量成本。而且，根据预设条件基于蒙特卡洛算法确定离子注入的注入深度和掺
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公开(公告)号：CN117133637A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311397163.3
申请日：2023-10-26
IPC分类号： H01L21/04 , H01L29/16 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底。方法包括：将碳化硅供体材料与支撑层进行连接，得到含有碳化硅供体材料层的连接体；对连接体进行边缘倒角，形成供体衬底；在供体衬底的碳化硅供体材料层中预埋弱化层；将供体衬底的碳化硅供体材料层与碳化硅衬底键合，形成键合体；对键合体施加应力，使其沿弱化层断裂，得到由碳化硅膜层与碳化硅衬底构成的碳化硅复合衬底，及剩余供体衬底。制备所得的碳化硅复合衬底碳化硅膜层边缘与碳化硅衬底边缘距离均值小于0.9mm，极差小于0.5mm，有效使用面积大于碳化硅复合衬底边缘向内排除2mm后的面积。衬底尺寸越大，本发明制备的复合衬底的有效使用面积占比越大，技术效果越显著。
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公开(公告)号：CN117020936A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311301304.7
申请日：2023-10-10
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/26 , B24B37/24 , B24D11/00 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B49/00 , H01L21/02 , H01L21/306
摘要： 本发明提供一种光催化复合抛光垫及其制备方法与抛光方法，所述光催化复合抛光垫呈圆饼状，包括层叠设置的软质层、交界层和硬质层；所述软质层靠近交界层的一侧表面设置有至少1个环形沟槽，且所述环形沟槽将抛光垫的表面分隔成至少2个区域；所述交界层的内部分布有光催化剂，且沿着抛光垫中心到边缘的方向，所述光催化剂在不同区域内的含量呈线性递减的分布趋势；所述硬质层远离交界层的一侧表面设置有纵横交织的线形沟槽，且所述硬质层呈微孔立体网状结构。利用本发明提供的抛光垫对SiC晶片的表面进行紫外光辅助的化学机械抛光，提升了抛光垫中催化剂的分布均匀性，兼顾了SiC晶片的抛光移除率和抛光效果，从而获得高质量表面。
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公开(公告)号：CN116721966A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202311007183.5
申请日：2023-08-11
IPC分类号： H01L21/762 , H10N30/08 , H10N30/082 , H10N30/086 , H03H3/08
摘要： 本发明提供一种改善压电薄膜厚度均匀性的方法及压电衬底与应用，所述方法包括：（1）在硅衬底的抛光表面生长二氧化硅层，得到第一衬底；（2）在单晶衬底的表面进行离子注入，得到含有缺陷层的第二衬底；（3）将第一衬底与第二衬底进行异质键合，得到复合衬底；（4）复合衬底经过高温处理及静置后沿着缺陷层裂开，得到压电衬底半成品；（5）将压电衬底半成品依次进行化学机械抛光和离子束蚀刻，得到压电衬底；所述压电衬底中压电薄膜的表面粗糙度≤0.2nm，厚度≤10A。本发明提供的方法改善了压电薄膜的厚度均匀性，降低了压电薄膜的表面粗糙度，保证了光刻影像传递的精确度和分辨率，同时简化了工艺流程，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117393422B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311685913.7
申请日：2023-12-11
摘要： 本发明涉及一种制造碳化硅复合衬底的方法，所述方法包括如下步骤：具有离子注入损伤层的碳化硅供体材料与半导体衬底材料键合，形成碳化硅复合结构；然后对碳化硅复合结构进行化学腐蚀，热处理后得到碳化硅复合衬底与碳化硅回收供体。离子注入损伤层的应力集中、应变能更大、其发生化学反应更加强烈，因此更容易发生化学腐蚀；本发明提供的方法能够实现因晶圆R型倒角或T型倒角而未键合的离子注入区域的完全腐蚀，最终所得碳化硅回收供体无需进行倒角或机械减薄，可再次作为供体材料进行使用。
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公开(公告)号：CN117091489B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311330450.2
申请日：2023-10-16
摘要： 本发明公开了一种复合结构的顶膜厚度检测装置及检测方法，该顶膜厚度检测装置包括电极、光源、电压源、检测电路以及控制器；控制器用于控制电压源向复合电容结构输出第一电压信号以对复合电容结构进行第一次充电；控制器还用于在复合电容结构第一次放电完成后控制光源照射顶膜，同时控制电压源向复合电容结构输出第二电压信号以对复合电容结构进行第二次充电；检测电路用于检测第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间，并将第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间传输至控制器；控制器根据第一次放电所用时间以及第二次放电所用时间确定顶膜的厚度。采用上述手段，通过
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