-
公开(公告)号：CN119147535B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411618197.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 顺德职业技术学院
IPC: G01N21/88 , G01N25/72 , G01B15/00 , G01B15/04 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了基于缺陷芯片的覆盖式轨迹检测装置及其检测方法，涉及芯片检测技术领域，包括：支撑座，以及装配在所述支撑座上并呈对称设置的两组芯片检测装置；每组所述芯片检测装置包括盘式螺旋机构，所述盘式螺旋机构的底部设置有切换模组，所述切换模组上设置有芯片检测头；当所述盘式螺旋机构运行时，带动所述芯片检测头以涡状线轨迹递进运行，使得所述芯片检测头以寻边寻点的范围性检测方式覆盖芯片的轮廓；所述芯片检测头包括转轴，以及周向分布在转轴上的光检测头、热红外检测头以及SEM检测头。本发明通过盘式螺旋机构的运动特性，带动芯片检测头进行检测，检测轨迹采用涡状线轨迹递进运行，覆盖性广，检测效率高。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN119170732A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411319677.1
申请日：2024-09-20
Applicant: 顺德职业技术学院
Abstract: 本发明公开了一种自支撑VO2纳米片电极的制备方法，1)将偏钒酸铵和草酸溶解于去离子水中，搅拌至完全溶解后加入六亚甲基四胺，继续搅拌至溶液呈现蓝色，得到溶液S1；2)将溶液S1加入50ml的反应釜中，放入碳布，确保碳布完全浸润在溶液中；3)将反应釜放在150℃烘箱内保温2‑4小时，待反应结束后自然冷却至室温，将得到的产物用去离子水清洗，在60℃下真空干燥箱中干燥12小时，得到NH4V4O10/碳布一体化前驱体S2；4)将一体化前驱体S2置于管式炉中，通入氮气，进行热处理后的到自支撑VO2纳米片电极。本发明提供的制备方法提高了VO2电极的结构稳定性，且在应用于锌离子电池负极材料时展现了优异的电化学性能。
-
-
公开(公告)号：CN117756173A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311800631.7
申请日：2023-12-25
Applicant: 顺德职业技术学院
IPC: C01G23/047 , B82Y30/00 , H01M4/485 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种高浓度取代氮掺杂二氧化钛纳米颗粒的制备方法，1)将商用的二氧化钛纳米颗粒和硼氢化钠按质量比混合研磨20min，得到粉末S1；2)将粉末S1置于管式炉中，通入氩气，进行热处理，得到粉末S2；3)将粉末S2用去离子水洗涤后冷冻干燥，得到粉末S3；4)将粉末S3和三聚氰胺按质量比混合研磨20分钟，得到粉末S4；5)将粉末S4置于管式炉中，通入氩气，进行热处理后得到高浓度取代氮掺杂的二氧化钛纳米颗粒。本发明方法有效提高了二氧化钛中的取代氮掺杂浓度，且在应用于锂离子电池负极材料时展现了优异的循环稳定性和倍率性能。
-
公开(公告)号：CN119147535A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411618197.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 顺德职业技术学院
IPC: G01N21/88 , G01N25/72 , G01B15/00 , G01B15/04 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了基于缺陷芯片的覆盖式轨迹检测装置及其检测方法，涉及芯片检测技术领域，包括：支撑座，以及装配在所述支撑座上并呈对称设置的两组芯片检测装置；每组所述芯片检测装置包括盘式螺旋机构，所述盘式螺旋机构的底部设置有切换模组，所述切换模组上设置有芯片检测头；当所述盘式螺旋机构运行时，带动所述芯片检测头以涡状线轨迹递进运行，使得所述芯片检测头以寻边寻点的范围性检测方式覆盖芯片的轮廓；所述芯片检测头包括转轴，以及周向分布在转轴上的光检测头、热红外检测头以及SEM检测头。本发明通过盘式螺旋机构的运动特性，带动芯片检测头进行检测，检测轨迹采用涡状线轨迹递进运行，覆盖性广，检测效率高。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
