-
公开(公告)号:CN118725400A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410782631.7
申请日:2024-06-18
申请人: 顺德职业技术学院
摘要: 本发明涉及电子封装材料和导热填料技术领域,尤其涉及一种弹性三维硅基框架材料及其制备方法。包括如下步骤:制备SiO2纳米纤维:向水中加入硅源和H3PO4搅拌均匀,得到硅溶胶;向水中加入PVA粉末搅拌溶解,得到PVA溶液;将硅溶胶和PVA溶液混合后继续搅拌,得到纺丝前驱体溶液;构建三维框架:纺丝前驱体溶液经处理后得到柔性SiO2纳米纤维,再将柔性SiO2纳米纤维均质分散在海藻酸钠溶液中,干燥后得到具有多孔结构的三维框架;交联处理:在二价和三价离子溶液中对三维框架进行交联处理,得到所述弹性三维硅基框架材料。该材料具有优异的导热性、机械弹性和环境适应性,能够在电子器件中有效传递热量,满足在不同应用场景下的散热需求。
-
公开(公告)号:CN118848003A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410806490.8
申请日:2024-06-21
申请人: 顺德职业技术学院
摘要: 本发明涉及电子封装材料和导热界面材料助剂技术领域,尤其涉及一种银纳米立方块助剂、制备方法、分散方法及应用。银纳米立方块助剂的制备方法,包括如下步骤:1)将金属银前驱体和还原剂于溶液中混合得到混合溶液,并调节混合溶液的pH值至6‑8;2)将混合溶液加热至40‑60℃反应,反应时间为2‑4h;3)经离心、洗涤处理分离出银纳米立方块,再经干燥处理后即得到所述银纳米立方块助剂。通过优化反应原料和反应条件,实现了银纳米立方块的高效制备,通过后续的分散方法实现银纳米立方块的均匀分散,可以制备出形貌规则、粒径均匀、稳定性好的银纳米立方块助剂,提高了银纳米立方块助剂在各个应用中的性能。
-
公开(公告)号:CN118515977A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410750242.6
申请日:2024-06-12
申请人: 顺德职业技术学院
摘要: 本发明是关于一种高导热双功能颗粒填料及其制备方法,属于电子封装技术领域。该制备方法通过溶胶‑凝胶法分别制备出粒径均匀的SiO2微球以及Al2O3粉体,并通过碳热还原氮化合成反应合成了AlN粉体,将SiO2微球和AlN粉体复配使用,降低了AlN粉体在基体材料中界面热阻,提高了热界面材料的热导率。
-
-