公开(公告)号：CN104555896A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410535365.4

申请日：2014-10-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 刘连军 ,  J·S·巴特斯 ,  M·肖德胡里 ,  D·J·蒙克 ,  B·A·塔赫瑞

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B7/0006 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00198 ,  G01C19/5783 ,  G01L1/142 ,  G01L1/246 ,  G01L9/0073 ,  G01P15/125

Abstract: 本发明涉及具有多刺激感测的MEMS传感器器件及其制作方法。器件包括感测了不同物理刺激的传感器。制作包含形成器件结构以包括传感器并且将帽结构和所述器件结构耦合，以便传感器置于帽结构和器件结构的衬底层之间。制作还包含在衬底层内形成端口，以便一个端口将传感器的感测元件暴露于外部环境，以及另一个端口将传感器暂时暴露于外部环境。密封结构被附着于衬底层，以便一个端口被密封结构密封并且密封结构的外部端口与端口对齐。