公开(公告)号：CN103964373B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410032683.9

申请日：2014-01-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： C·S·道森 ,  D·比利克 ,  刘连军 ,  A·C·麦克内尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00015

Abstract: 提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。

公开(公告)号：CN103964373A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410032683.9

申请日：2014-01-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： C·S·道森 ,  D·比利克 ,  刘连军 ,  A·C·麦克内尔

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B3/0072 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00015

Abstract: 提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。