发光器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113206177A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110494619.2

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光器件。所述发光器件包括:基板;发光结构,布置在所述基板上,并且具有第一发光区域和第二发光区域;以及光扩散层,布置在所述基板上,其中,所述基板是允许由所述发光结构激发的光透过的透明基板,并且在其表面上形成有凹凸图案,其中,所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层;其中,所述第一发光区域的所述活性层和所述第二发光区域的所述活性层具有不同的组成以发射具有不同波长的光,以及其中,所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔。

    发光器件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113206177B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202110494619.2

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光器件。所述发光器件包括:基板;发光结构,布置在所述基板上,并且具有第一发光区域和第二发光区域;以及光扩散层,布置在所述基板上,其中,所述基板是允许由所述发光结构激发的光透过的透明基板,并且在其表面上形成有凹凸图案,其中,所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层;其中,所述第一发光区域的所述活性层和所述第二发光区域的所述活性层具有不同的组成以发射具有不同波长的光,以及其中,所述第二发光区域与所述第一发光区域相隔。

    发光模块
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110707189B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN201910991715.0

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光模块。所述发光模块包括发光二极管,所述发光二极管包括:第一发光区域;以及第二发光区域,与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域,且包括彼此相隔的多个发光单元,所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层,所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动,所述多个发光单元分别被独立驱动。

    发光模块
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110707189A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201910991715.0

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光模块。所述发光模块包括发光二极管,所述发光二极管包括:第一发光区域;以及第二发光区域,与所述第一发光区域相隔而围绕所述第一发光区域,且包括彼此相隔的多个发光单元,所述第一发光区域和所述第二发光区域各自包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层,所述第一发光区域和所述第二发光区域被独立驱动,所述多个发光单元分别被独立驱动。

    发光器件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113193086B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202110494592.7

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光器件。所述发光器件,包括:基板;发光结构,布置在所述基板上,并且具有第一发光区域、第二发光区域以及第三发光区域;绝缘层,阻断所述第一发光区域与所述第二发光区域之间或者所述第二发光区域与所述第三发光区域之间的不期望的电连接;其中,所述第一发光区域、所述第二发光区域以及所述第三发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层;以及其中,所述第一发光区域的中心与所述第二发光区域的中心和所述第三发光区域的中心重叠。

    发光器件
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113193086A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110494592.7

    申请日:2018-02-07

    Abstract: 提供了一种发光器件。所述发光器件,包括:基板;发光结构,布置在所述基板上,并且具有第一发光区域、第二发光区域以及第三发光区域;绝缘层,阻断所述第一发光区域与所述第二发光区域之间或者所述第二发光区域与所述第三发光区域之间的不期望的电连接;其中,所述第一发光区域、所述第二发光区域以及所述第三发光区域中的每一个包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层;以及其中,所述第一发光区域的中心与所述第二发光区域的中心和所述第三发光区域的中心重叠。

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