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发明公开
基于场效应晶体管的阈值电压差的参考电压发生器审中-实审

公开(公告)号：CN118435146A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280085269.7

申请日：2022-12-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： D·巴塔 , S·李 , S·赵 , H·王 , J·阿布卡刘斯

IPC分类号： G05F3/24

摘要： 本公开的一方面涉及一种参考电压发生器，该参考电压发生器包括：第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管(FET)包括第一阈值电压；第二FET，该第二FET包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压；栅极电压发生器，该栅极电压发生器耦合到该第一FET和该第二FET的栅极；第一电流源，该第一电流源与该第一FET串联耦合在第一电压轨与第二电压轨之间；第二电流源；和第一电阻器，该第一电阻器与该第二电流源和该第二FET串联耦合在该第一电压轨与该第二电压轨之间，其中在该第一电阻器两端产生参考电压。