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公开(公告)号：CN104335483A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380026660.0
申请日：2013-05-24
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 公开了支持载波聚集的多输入多输出(MIMO)低噪声放大器(LNA)。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括具有多个增益电路、一激励电路以及多个负载电路的MIMO LNA。增益电路接收至少一个输入射频(RF)信号并提供至少一个经放大RF信号。每个增益电路当该增益电路被启用时接收并且放大一个输入RF信号并提供一个经放大RF信号。该至少一个输入RF信号包括在处于不同频率的多个载波上向该无线设备发送的传输。激励电路接收该至少一个经放大RF信号并且提供至少一个激励RF信号。负载电路接收该至少一个激励RF信号并且提供至少一个输出RF信号。
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公开(公告)号：CN104798299A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059119.X
申请日：2013-11-12
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04W88/02 , H03F3/193 , H03F3/68 , H04B1/0053
摘要： 公开了支持多个频带组的全频带放大器。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括至少一个增益晶体管以及针对多个频带组的多个共源共栅晶体管。每个频带组覆盖多个频带。增益晶体管接收输入射频(RF)信号。共源共栅晶体管被耦合至增益晶体管并且提供针对多个频带组中的一个频带组的输出RF信号。在一示例性设计中，增益晶体管包括针对多个频带组的多个增益晶体管。一个增益晶体管和一个共源共栅晶体管被启用以放大输入RF信号并且提供针对所选频带组的输出RF信号。增益晶体管可被耦合至单个源极衰退电感器的不同抽头或耦合至不同的源极衰退电感器。
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公开(公告)号：CN104798299B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201380059119.X
申请日：2013-11-12
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04W88/02 , H03F3/193 , H03F3/68 , H04B1/0053
摘要： 公开了支持多个频带组的全频带放大器。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括至少一个增益晶体管以及针对多个频带组的多个共源共栅晶体管。每个频带组覆盖多个频带。增益晶体管接收输入射频(RF)信号。共源共栅晶体管被耦合至增益晶体管并且提供针对多个频带组中的一个频带组的输出RF信号。在一示例性设计中，增益晶体管包括针对多个频带组的多个增益晶体管。一个增益晶体管和一个共源共栅晶体管被启用以放大输入RF信号并且提供针对所选频带组的输出RF信号。增益晶体管可被耦合至单个源极衰退电感器的不同抽头或耦合至不同的源极衰退电感器。
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公开(公告)号：CN104335483B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201380026660.0
申请日：2013-05-24
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 公开了支持载波聚集的多输入多输出(MIMO)低噪声放大器(LNA)。在一示例性设计中，一种装置(例如，无线设备、集成电路等)包括具有多个增益电路、一激励电路以及多个负载电路的MIMO LNA。增益电路接收至少一个输入射频(RF)信号并提供至少一个经放大RF信号。每个增益电路当该增益电路被启用时接收并且放大一个输入RF信号并提供一个经放大RF信号。该至少一个输入RF信号包括在处于不同频率的多个载波上向该无线设备发送的传输。激励电路接收该至少一个经放大RF信号并且提供至少一个激励RF信号。负载电路接收该至少一个激励RF信号并且提供至少一个输出RF信号。
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