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公开(公告)号:CN106605366A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201580045282.X
申请日:2015-07-28
申请人: 高通股份有限公司
CPC分类号: H03H11/1204 , H03H7/0153 , H03H7/21 , H03H11/22 , H03H17/0273 , H03H2218/04
摘要: 本公开的某些方面提供了用于生成高准确度毫米波或射频(RF)宽带同相(I)振荡信号和正交(Q)振荡信号的电路,该I振荡信号和Q振荡信号在减少的成本、面积和功率消耗的情况下、在工艺、电压和温度(PVT)变化上具有可接受的幅度和相位失配。在一个示例装置中,提供了一种具有第一级(602)和第二级(604)的多相滤波器。每个级包括电阻元件(503)和电容元件(505)。本公开的某些方面提供了在一个或多个级的电阻或电容值之间的有意的电阻和/或电容值失配,使得得到的I和Q信号之间的相位失配可以被减少而不降级幅度失配。本公开的某些方面提供了将至少一个级中的电阻元件替代为操作在三极管区中的晶体管(508),其中导通电阻由反馈网络(506)控制。
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公开(公告)号:CN107112948A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201580072692.3
申请日:2015-11-20
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03B5/12
CPC分类号: H03B5/1262 , H03B5/1203 , H03B5/1206 , H03B5/1209 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/129
摘要: 公开了用于偏置频率振荡器以最小化相位噪声的系统和方法。系统可以包括具有电感器、至少第一耦合电容器和第二耦合电容器的储能电路。系统可以进一步包括电耦合至第一耦合电容器和第二耦合电容器的变容二极管电路。系统可以进一步包括与储能电路和偏置电压并联电连接的至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)器件。至少一个第一MOS器件可以电连接至第一栅极偏置电压,配置用于偏置至少一个第一MOS器件以使得至少一个第一MOS器件的第一栅极至源极电压保持低于第一阈值电压。
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公开(公告)号:CN105940603A
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201580006675.X
申请日:2015-01-27
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H03B5/12
CPC分类号: H03B5/1206 , H01F17/0013 , H01F27/30 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1296 , H03H7/09
摘要: 描述了一种变压器。该变压器包括初级线圈和第一次级线圈。第一耦合发生在第一次级线圈和初级线圈之间。变压器还包括第二次级线圈。第二耦合发生在第二次级线圈和初级线圈之间。第一次级线圈与第二次级线圈分开以防止第一次级线圈和第二次级线圈之间的耦合。第一次级线圈的第一宽度独立于第二次级线圈的第二宽度被配置。
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公开(公告)号:CN107251429B
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN201580063665.X
申请日:2015-11-06
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本公开的某些方面通常涉及产生大电阻。一个示例性电路通常包括第一晶体管210、220,具有栅极、与电路的第一节点214连接的源极、以及与电路的第二节点216连接的漏极。电路也可以包括连接在第一晶体管的栅极和源极之间的电压限制装置224、226,其中如果正向偏置配置装置以限制第一晶体管的栅极至源极电压以使得第一晶体管操作在亚阈值区域中。电路进一步包括配置用于采用电流偏置电压限制装置的第二晶体管212、222,其中第二晶体管的漏极与第一晶体管的栅极连接,第二晶体管的栅极与第一节点连接,以及第二晶体管的源极与电势连接。
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公开(公告)号:CN106605366B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201580045282.X
申请日:2015-07-28
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本公开的某些方面提供了用于生成高准确度毫米波或射频(RF)宽带同相(I)振荡信号和正交(Q)振荡信号的电路,该I振荡信号和Q振荡信号在减少的成本、面积和功率消耗的情况下、在工艺、电压和温度(PVT)变化上具有可接受的幅度和相位失配。在一个示例装置中,提供了一种具有第一级(602)和第二级(604)的多相滤波器。每个级包括电阻元件(503)和电容元件(505)。本公开的某些方面提供了在一个或多个级的电阻或电容值之间的有意的电阻和/或电容值失配,使得得到的I和Q信号之间的相位失配可以被减少而不降级幅度失配。本公开的某些方面提供了将至少一个级中的电阻元件替代为操作在三极管区中的晶体管(508),其中导通电阻由反馈网络(506)控制。
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公开(公告)号:CN107251429A
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201580063665.X
申请日:2015-11-06
申请人: 高通股份有限公司
摘要: 本公开的某些方面通常涉及产生大电阻。一个示例性电路通常包括第一晶体管210、220,具有栅极、与电路的第一节点214连接的源极、以及与电路的第二节点216连接的漏极。电路也可以包括连接在第一晶体管的栅极和源极之间的电压限制装置224、226,其中如果正向偏置配置装置以限制第一晶体管的栅极至源极电压以使得第一晶体管操作在亚阈值区域中。电路进一步包括配置用于采用电流偏置电压限制装置的第二晶体管212、222,其中第二晶体管的漏极与第一晶体管的栅极连接,第二晶体管的栅极与第一节点连接,以及第二晶体管的源极与电势连接。
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公开(公告)号:CN106688189A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201580048079.8
申请日:2015-08-11
申请人: 高通股份有限公司
IPC分类号: H04B1/00
CPC分类号: H03L7/099 , H03B5/1212 , H04B1/005 , H04B1/0064
摘要: 本公开的某些方面提供了用于使用多个压控振荡器(VCO)来诸如在严格的多输入多输出(MIMO)模式中增加频率合成器性能的方法和装置。能够生成振荡信号的一个示例性装置通常包括第一VCO、第二VCO和连接电路,该连接电路其被配置为如果与该第二VCO相关联的锁相环(PLL)空闲,则将该第二VCO与该第一VCO并联连接。
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