高准确度毫米波/射频宽带同相和正交生成

    公开(公告)号:CN106605366A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201580045282.X

    申请日:2015-07-28

    IPC分类号: H03H7/01 H03H7/21

    摘要: 本公开的某些方面提供了用于生成高准确度毫米波或射频(RF)宽带同相(I)振荡信号和正交(Q)振荡信号的电路,该I振荡信号和Q振荡信号在减少的成本、面积和功率消耗的情况下、在工艺、电压和温度(PVT)变化上具有可接受的幅度和相位失配。在一个示例装置中,提供了一种具有第一级(602)和第二级(604)的多相滤波器。每个级包括电阻元件(503)和电容元件(505)。本公开的某些方面提供了在一个或多个级的电阻或电容值之间的有意的电阻和/或电容值失配,使得得到的I和Q信号之间的相位失配可以被减少而不降级幅度失配。本公开的某些方面提供了将至少一个级中的电阻元件替代为操作在三极管区中的晶体管(508),其中导通电阻由反馈网络(506)控制。

    PLL中的开关电容器电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109716655A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201780058166.0

    申请日:2017-09-05

    IPC分类号: H03L7/089

    摘要: 本发明的各个方面描述了PLL中的开关电容器电路。示例包括在第一时钟相位期间将电流从第一电流源通过电容器路由到地,在第二时钟相位期间将电流从第二电流源通过电容器路由到地,以及在第三时钟相位期间将电容器上的电荷转移到环路滤波器电容器。第一电流源可以响应于来自相位/频率检测器(PFD)的UP误差样本而生成电流,并且第二电流源响应于来自PFD的DN误差样本而生成电流。

    用于大电阻的亚阈值金属氧化物半导体

    公开(公告)号:CN107251429B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201580063665.X

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H03H11/24 H03K5/08 H03H1/02

    摘要: 本公开的某些方面通常涉及产生大电阻。一个示例性电路通常包括第一晶体管210、220,具有栅极、与电路的第一节点214连接的源极、以及与电路的第二节点216连接的漏极。电路也可以包括连接在第一晶体管的栅极和源极之间的电压限制装置224、226,其中如果正向偏置配置装置以限制第一晶体管的栅极至源极电压以使得第一晶体管操作在亚阈值区域中。电路进一步包括配置用于采用电流偏置电压限制装置的第二晶体管212、222,其中第二晶体管的漏极与第一晶体管的栅极连接,第二晶体管的栅极与第一节点连接,以及第二晶体管的源极与电势连接。

    高准确度毫米波/射频宽带同相和正交生成

    公开(公告)号:CN106605366B

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201580045282.X

    申请日:2015-07-28

    IPC分类号: H03H7/01 H03H7/21

    摘要: 本公开的某些方面提供了用于生成高准确度毫米波或射频(RF)宽带同相(I)振荡信号和正交(Q)振荡信号的电路,该I振荡信号和Q振荡信号在减少的成本、面积和功率消耗的情况下、在工艺、电压和温度(PVT)变化上具有可接受的幅度和相位失配。在一个示例装置中,提供了一种具有第一级(602)和第二级(604)的多相滤波器。每个级包括电阻元件(503)和电容元件(505)。本公开的某些方面提供了在一个或多个级的电阻或电容值之间的有意的电阻和/或电容值失配,使得得到的I和Q信号之间的相位失配可以被减少而不降级幅度失配。本公开的某些方面提供了将至少一个级中的电阻元件替代为操作在三极管区中的晶体管(508),其中导通电阻由反馈网络(506)控制。

    用于大电阻的亚阈值金属氧化物半导体

    公开(公告)号:CN107251429A

    公开(公告)日:2017-10-13

    申请号:CN201580063665.X

    申请日:2015-11-06

    IPC分类号: H03H11/24 H03K5/08 H03H1/02

    摘要: 本公开的某些方面通常涉及产生大电阻。一个示例性电路通常包括第一晶体管210、220,具有栅极、与电路的第一节点214连接的源极、以及与电路的第二节点216连接的漏极。电路也可以包括连接在第一晶体管的栅极和源极之间的电压限制装置224、226,其中如果正向偏置配置装置以限制第一晶体管的栅极至源极电压以使得第一晶体管操作在亚阈值区域中。电路进一步包括配置用于采用电流偏置电压限制装置的第二晶体管212、222,其中第二晶体管的漏极与第一晶体管的栅极连接,第二晶体管的栅极与第一节点连接,以及第二晶体管的源极与电势连接。