公开(公告)号：CN101808933A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200780100824.4

申请日：2007-09-28

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 卢西奥·弗洛雷斯 ,  利奥尔·科格特 ,  颜小明 ,  黄圣棕 ,  杨家伟 ,  苏怡帆 ,  坦·义·涂 ,  罗棋 ,  布莱恩·詹姆斯·加利 ,  达娜·蔡斯 ,  徐刚

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。

公开(公告)号：CN101808933B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780100824.4

申请日：2007-09-28

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 卢西奥·弗洛雷斯 ,  利奥尔·科格特 ,  颜小明 ,  黄圣棕 ,  杨家伟 ,  苏怡帆 ,  坦·义·涂 ,  罗棋 ,  布莱恩·詹姆斯·加利 ,  达娜·蔡斯 ,  徐刚

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。