公开(公告)号：CN105593964B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201480054306.3

申请日：2014-09-24

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 迈克·雷诺 ,  维克拉姆·乔希 ,  罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 ,  托马斯·L·麦圭尔 ,  理查德·L·奈普

IPC: H01H59/00 ,  H01G5/16

CPC classification number: H01G5/16 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  B81C2201/0104 ,  B81C2201/0109 ,  H01G5/011 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。

公开(公告)号：CN102906009B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 ,  T.多安 ,  G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀 ,  J.G.通布利 ,  E.J.怀特

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

公开(公告)号：CN104955765A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201380071919.3

申请日：2013-02-01

Applicant: 韩国科学技术院

Inventor： 林声圭 ,  金暎洙 ,  金熙渊 ,  姜敏浩 ,  吴在燮 ,  李贵鲁

IPC: B81B1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0109 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明公开一种将非晶碳薄膜利用为牺牲层的MEMS器件制造方法。根据本发明的一实施例，包括如下步骤：形成下部结构物；作为牺牲层，在所述下部结构物上形成非晶碳薄膜；在所述非晶碳薄膜上形成包括传感器结构的上部结构物；消除所述非晶碳薄膜而使所述下部结构物与所述上部结构物相互隔离地布置。

公开(公告)号：CN104760925A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201410007410.9

申请日：2014-01-07

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 荆二荣

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013

Abstract: 本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构，这样可以制备出最小尺寸等于最小线宽的支撑梁，同时，该方法对光刻的套准精度要求比较低，减小了工艺难度。

公开(公告)号：CN103096235A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310020998.7

申请日：2007-03-20

Applicant: 沃福森微电子股份有限公司

Inventor： R·I·拉明 ,  M·贝格比 ,  A·特雷纳

IPC: H04R31/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81C99/004 ,  B81C2201/0109 ,  H04R7/10 ,  H04R7/18 ,  H04R19/005 ,  H04R2307/207 ,  Y10S977/733

Abstract: 一种制备微机电系统麦克风的方法，该方法包括下列步骤：沉积第一和第二电极；沉积膜，该膜机械耦合到所述第一电极；以及沉积背板，所述背板机械耦合到所述第二电极；其中所述沉积第二电极的步骤包括在所述第二电极中形成预定图案的步骤，并且其中所述预定图案包括一个或多个开口，所述开口对应于在所述背板中形成的一个或多个开口，并且在所述第二电极中的至少一个所述开口大于所述背板中的对应开口。

公开(公告)号：CN101808933B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780100824.4

申请日：2007-09-28

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 卢西奥·弗洛雷斯 ,  利奥尔·科格特 ,  颜小明 ,  黄圣棕 ,  杨家伟 ,  苏怡帆 ,  坦·义·涂 ,  罗棋 ,  布莱恩·詹姆斯·加利 ,  达娜·蔡斯 ,  徐刚

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81B2201/042 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0142

Abstract: 本发明提供包括牺牲结构的MEMS，所述牺牲结构包括较快蚀刻部分及较慢蚀刻部分，当通过蚀刻掉所述牺牲结构而在所述MEMS中形成腔时，所述MEMS展现对结构特征降低的损害。差异蚀刻速率以机械方式使结构层去耦，因此降低蚀刻工艺期间装置中的应力。本发明还提供方法及系统。

公开(公告)号：CN102906009A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025546.7

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D.丹格 ,  T.多安 ,  G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  R.T.赫林 ,  C.V.扬斯 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀 ,  J.G.通布利 ,  E.J.怀特

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01H59/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。

公开(公告)号：CN102530831A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010607826.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 上海丽恒光微电子科技有限公司

Inventor： 毛剑宏 ,  唐德明

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2203/0145 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0828 ,  H03H3/0072

Abstract: 本发明提供了一种的MEMS器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有金属互连结构；在所述半导体衬底的表面形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材质为无定形碳；刻蚀所述第一牺牲层形成第一凹槽；在所述第一牺牲层表面覆盖形成第一介质层；采用化学机械研磨工艺减薄所述第一介质层，直至露出所述第一牺牲层；在所述第一牺牲层表面形成微机械结构层，并曝露出第一牺牲层，所述微机械结构层的部分与所述第一介质层连接。本发明采用先形成牺牲介质层，并图形化所述牺牲介质层，再形成介质层的方法，避免了对无定形碳的研磨，能够缩短生产周期，极大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN1986386B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200610169098.9

申请日：2006-12-20

Applicant: 施乐公司

Inventor： P·J·尼斯特伦 ,  N·贾 ,  K·刘

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B41J2/16 ,  B41J2/14

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B41J2/14 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1639 ,  B41J2002/043 ,  B81B2201/052 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014

Abstract: 一种用于制造微型机械装置的初始结构，所述结构在操作配置中具有多个层，每个层顺序相互层叠，所述层包括第一牺牲层、第二牺牲层和所需下面层，所述第一牺牲层具有与所需下面层类似的材料蚀刻性能，所述第二牺牲层具有与所述所需下面层完全不同的材料蚀刻性能，其中所述第二牺牲层大致经得起用来去除所述第一牺牲层的材料，并且其中所述第二牺牲层能够在所述第一牺牲层通过所述蚀刻去除时保护下面层。

公开(公告)号：CN101119924B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580048189.0

申请日：2005-12-21

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·伊林 ,  H·韦伯 ,  C·舍林 ,  H·施塔尔 ,  S·魏斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。