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公开(公告)号：CN114736279A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210501900.9
申请日：2022-05-10
申请人： 黑龙江八一农垦大学
摘要： 本发明公开了一种植物抗逆相关蛋白PvNAC52及其编码基因与应用。本发明提供的蛋白PvNAC52，其氨基酸序列如SEQIDNO:1所示。实验证明，在拟南芥中过表达PvNAC52基因可以提高拟南芥抗逆性，抗逆性提高表现为：在盐/碱/旱/渗透胁迫下，转基因植物的存活率增加、根长增加、鲜重增加、失水率降低、细胞膜损伤降低、丙二醛含量降低、相对电导率降低、H2O2含量降低、超氧阴离子降低、ROS含量降低、过氧化氢酶活性增加、SOD酶活性增加、过氧化物酶活性增加和脯氨酸含量增加。因此，蛋白PvNAC52及其编码基因可以调控植物抗逆性，在培育抗逆性增强的植物中具有重要的理论意义和实用价值。
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公开(公告)号：CN107266186A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710550122.1
申请日：2017-07-07
申请人： 黑龙江八一农垦大学
摘要： 一种水稻无土育苗基质的配方及制备方法，涉及水稻育苗的配方和制备方法技术领域，它包括秸秆发酵物料制备和育苗基质制备，玉米秸秆或水稻秸秆与牛粪按照体积比7:3混合，加入高温速腐菌剂，在室外15～25℃下，堆制30～35天制成秸秆腐熟物料。秸秆腐熟物料7份、玉米秸秆生物炭1份、蛭石1份、椰糠1份混合制成水稻无土育苗基质。本水稻无土育苗基质的配方及制备方法采用可再生物料，不含病原菌和杂草种子，环保安全，育苗效果好。
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公开(公告)号：CN106105723A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610565572.3
申请日：2016-07-18
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01G1/00
CPC分类号： A01G2/00
摘要： 本发明涉及一种大垄平台栽培芸豆的方法，属于芸豆栽培技术领域。秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。本发明结合深松、播种和施肥的栽培方法，通透性好、抗逆性强，改善了芸豆群体光合作用生产效率和肥料利用率，可实现芸豆丰产优质高效生产。
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公开(公告)号：CN106105723B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610565572.3
申请日：2016-07-18
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01G22/40
摘要： 本发明涉及一种大垄平台栽培芸豆的方法，属于芸豆栽培技术领域。秋整地起垄，在所述垄两侧设垄沟，所述垄设垄台，分别对垄沟和垄台中间部位进行深松，以起垄前的土地表面为基准，所述垄沟的深松深度为30～40cm，垄台中间的深松深度为15～30cm；整地时，将基肥施于垄台中间；将种肥施于播种位置下方；在垄台上进行芸豆的播种，所述播种共3行，形成3条苗带，所述播种的行间距为25～30cm，所述芸豆的品种为直立或半蔓生型抗倒高产芸豆品种；将追肥分别施于垄上左右两侧的苗带外侧，所述追肥施于垄台下方。本发明结合深松、播种和施肥的栽培方法，通透性好、抗逆性强，改善了芸豆群体光合作用生产效率和肥料利用率，可实现芸豆丰产优质高效生产。
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公开(公告)号：CN105052645B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201510562716.5
申请日：2015-09-08
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01G22/22
摘要： 本发明属于水稻栽培技术领域,具体涉及一种水稻双侧双深分类施肥垄上机插双行高效栽培方法。通过施肥旱起垄机械进行旱起垄；旱起垄的垄底7宽度为50至60厘米,镇压后的垄高6为11至13厘米,镇压后的垄面4宽度为30至40厘米；苗带2的双侧分布有深肥带3及浅肥带1，深肥带3距垄面4的高度为6至8厘米，深肥带3距苗带2的宽度为8至15厘米，浅肥带1距垄面4的高度为3至5厘米，浅肥带1距苗带2的宽度为3厘米；旱起垄后进行泡田，泡田后进行垄上机插双行,机插后双行苗带2之间的距离为16至30厘米；所述的深肥带3施有缓效肥，浅肥带1施有速效肥。本发明节约肥料，培肥土壤，抢抓农时，高效增产，省时省力，降低成本。
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公开(公告)号：CN105052645A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510562716.5
申请日：2015-09-08
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01G16/00
CPC分类号： A01G22/22
摘要： 本发明属于水稻栽培技术领域,具体涉及一种水稻双侧双深分类施肥垄上机插双行高效栽培方法。通过施肥旱起垄机械进行旱起垄；旱起垄的垄底7宽度为50至60厘米,镇压后的垄高6为11至13厘米,镇压后的垄面4宽度为30至40厘米；苗带2的双侧分布有深肥带3及浅肥带1，深肥带3距垄面4的高度为6至8厘米，深肥带3距苗带2的宽度为8至15厘米，浅肥带1距垄面4的高度为3至5厘米，浅肥带1距苗带2的宽度为3厘米；旱起垄后进行泡田，泡田后进行垄上机插双行,机插后双行苗带2之间的距离为16至30厘米；所述的深肥带3施有缓效肥，浅肥带1施有速效肥。本发明节约肥料，培肥土壤，抢抓农时，高效增产，省时省力，降低成本。
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公开(公告)号：CN102876329A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210402225.0
申请日：2012-10-22
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： C09K17/06 , C09K101/00 , C09K109/00
摘要： 一种水田苏打型盐碱土壤碳基改良剂，其特征在于主要成分包括碳基载体，碳基载体分别混入硫酸锌、石膏、硫酸锰、硼酸钙；所述碳基载体由粉碎玉米轴和浓度96%左右工业硫酸按质量比5:2至6:2混和配制；其制备由下述步骤制成：a、将粉碎玉米轴置于搅拌机内，注入浓度96%左右工业硫酸，两者质量比=5:2～6:2，边加边搅拌，至玉米轴充分碳化无烟冒出停止搅拌，制成碳基载体；b、分别向碳基载体中加入质量比为50:1至50:3的纯量硫酸锌、1:1的纯量石膏、25:1的纯量硫酸锰、25:1的纯量硼酸钙；本改良剂集化学、物理改良于一体，改善土壤物理性质，代换土壤中的交换性Na+，降低土壤pH值，补充钙、锰、锌、硼，提高产量。
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公开(公告)号：CN102870638A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210402283.3
申请日：2012-10-22
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01G16/00
摘要： 一种水稻蓄液调温隔离基质育秧方法，其特征在于包括以下步骤：a、作床；b、摆盘；c、灌底层液；d、铺育苗基质；e、浇营养液；f、播种及覆盖，刮平后盖塑料薄膜；g、补水、补营养液；h、棚内温度管理；i、3叶1心～3.5叶或4叶1心～4.5叶移栽；采用本发明育秧方法在基质下有10-20mm的液层作为隔离层，起到了很好的保水减少水分逆境的作用，使根系总是处于饱和水汽下不至于过旱、贴近秧盘的根层不至于经常处在水中，利于壮根；基质层水分变幅小，通透性好，利于根系进行有氧呼吸以增强吸收能力；液层能够阻止早春由地下而上的寒气，即起到保温层的作用，根下温度较直接在地膜上应有所提高，十分有利于培育壮秧。
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公开(公告)号：CN114736279B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210501900.9
申请日：2022-05-10
申请人： 黑龙江八一农垦大学
摘要： 本发明公开了一种植物抗逆相关蛋白PvNAC52及其编码基因与应用。本发明提供的蛋白PvNAC52，其氨基酸序列如SEQIDNO:1所示。实验证明，在拟南芥中过表达PvNAC52基因可以提高拟南芥抗逆性，抗逆性提高表现为：在盐/碱/旱/渗透胁迫下，转基因植物的存活率增加、根长增加、鲜重增加、失水率降低、细胞膜损伤降低、丙二醛含量降低、相对电导率降低、H2O2含量降低、超氧阴离子降低、ROS含量降低、过氧化氢酶活性增加、SOD酶活性增加、过氧化物酶活性增加和脯氨酸含量增加。因此，蛋白PvNAC52及其编码基因可以调控植物抗逆性，在培育抗逆性增强的植物中具有重要的理论意义和实用价值。
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公开(公告)号：CN109287229A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811267386.7
申请日：2018-10-29
申请人： 黑龙江八一农垦大学
IPC分类号： A01C21/00
摘要： 一种水稻点状施肥的方法。本发明涉及植物营养技术领域，具体涉及一种水稻点状施肥的方法。本发明是为了解决现有肥料利用率低的缺陷的问题。方法：一、水田插秧前做好耕整地准备；二、在苗带一侧沿水平面垂直苗带方向2cm～4cm、深度距泥面3.5cm～4.5cm处采用点状施肥方式施用基蘖肥，施肥过程与水稻插秧作业过程同步进行；三、水稻倒4叶长出一半至全部展开施入调节肥；四、水稻倒二叶长出一半时施入穗肥。本发明用于水稻施肥。
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