具有高纵横比的单色光源

    公开(公告)号:CN102197500A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200980142460.5

    申请日:2009-08-18

    IPC分类号: H01L33/20 H01L33/50 H01L33/10

    摘要: 本发明公开了发光系统。所述发光系统包括发射第一波长的光的LED。所述发射的第一波长的光的主要部分从所述LED的最小横向尺寸为Wmin的顶部表面离开所述LED。所述发射的第一波长的光的其余部分从所述LED的最大边缘厚度为Tmax的一个或多个侧面(122、124)离开所述LED。所述Wmin/Tmax之比为至少30。所述发光系统还包括具有半导体势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收从所述顶部表面离开所述LED的所述第一波长的光,并且将所述接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。

    具有光阻挡元件的光源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102203970A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN200980142939.9

    申请日:2009-07-28

    IPC分类号: H01L33/50

    摘要: 本发明公开了发光系统。所述发光系统包括电致发光装置,所述电致发光装置从其顶部表面发射第一波长的光。所述发光系统还包括邻近电致发光装置的侧面的构造,所述构造用于阻挡否则会离开侧面的第一波长的光。所述发光系统还包括含有II-VI势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收离开所述电致发光装置的所述第一波长的光并且将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发射强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发射强度的至少4倍。