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1.

发明公开
阻隔膜、阻隔膜的制备方法以及包括阻隔膜的制品有权

公开(公告)号：CN104768758A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380041879.8

申请日：2013-08-08

申请人： 3M创新有限公司

发明人： J·C·斯帕格诺拉 , M·A·勒里格 , T·P·科伦 , A·K·纳赫蒂加尔 , J·K·施诺布里奇 , G·D·乔利

IPC分类号： B32B27/30 , B32B33/00 , B05D3/00

CPC分类号： H01L31/02167 , B05D1/60 , B05D7/04 , B05D7/56 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/286 , B32B27/288 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/36 , B32B33/00 , B32B2307/554 , B32B2307/558 , B32B2307/584 , B32B2307/712 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/7248 , B32B2457/00 , B32B2457/12 , B32B2457/20 , C08J7/045 , C08J2367/02 , C08J2433/14 , C08J2483/04 , C09D183/04 , G02F1/133305 , G02F2001/133337 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31547 , Y10T428/31663

摘要： 本发明公开了一种阻隔膜，其包括基底、在所述基底的主表面上的第一聚合物层、在所述第一聚合物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第二聚合物层。所述第一聚合物层或所述第二聚合物层中的至少一个包含具有至少两个硅烷基团的仲氨基或叔氨基官能化硅烷的硅氧烷反应产物。本发明还公开了一种制备所述阻隔膜以及包括所述阻隔膜的制品和阻隔组件的方法。

2.

发明授权
阻隔膜、阻隔膜的制备方法以及包括阻隔膜的制品有权

公开(公告)号：CN104768758B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201380041879.8

申请日：2013-08-08

申请人： 3M创新有限公司

发明人： J·C·斯帕格诺拉 , M·A·勒里格 , T·P·科伦 , A·K·纳赫蒂加尔 , J·K·施诺布里奇 , G·D·乔利

IPC分类号： B32B27/30 , B32B33/00 , B05D3/00

CPC分类号： H01L31/02167 , B05D1/60 , B05D7/04 , B05D7/56 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/286 , B32B27/288 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/36 , B32B33/00 , B32B2307/554 , B32B2307/558 , B32B2307/584 , B32B2307/712 , B32B2307/7244 , B32B2307/7246 , B32B2307/7248 , B32B2457/00 , B32B2457/12 , B32B2457/20 , C08J7/045 , C08J2367/02 , C08J2433/14 , C08J2483/04 , C09D183/04 , G02F1/133305 , G02F2001/133337 , Y10T428/3154 , Y10T428/31544 , Y10T428/31547 , Y10T428/31663

摘要： 本发明公开了一种阻隔膜，其包括基底、在所述基底的主表面上的第一聚合物层、在所述第一聚合物层上的氧化物层以及在所述氧化物层上的第二聚合物层。所述第一聚合物层或所述第二聚合物层中的至少一个包含具有至少两个硅烷基团的仲氨基或叔氨基官能化硅烷的硅氧烷反应产物。本发明还公开了一种制备所述阻隔膜以及包括所述阻隔膜的制品和阻隔组件的方法。