公开(公告)号：CN1918683B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200580004695.X

申请日：2005-02-11

Applicant: ABB技术股份公司

Inventor： 迪特玛尔·根茨克

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H33/66261 ,  H01H2033/66269

Abstract: 本发明涉及根据权利要求1的用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室。本发明的目的是增大可能的短路电流切断的数量。为此，整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成，其中所述合金由具有0.01到10％重量的铬和/或锆的铜、或者由具有0.1到0.5％重量的铬和/或银的铜构成。

公开(公告)号：CN1918683A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004695.X

申请日：2005-02-11

Applicant: ABB技术股份公司

Inventor： 迪特玛尔·根茨克

IPC: H01H33/66

CPC classification number: H01H33/66261 ,  H01H2033/66269

Abstract: 本发明涉及根据权利要求1的用于中压设备的带屏蔽的真空断路器室。本发明的目的是增大可能的短路电流切断的数量。为此，整个屏蔽由低合金的并因此防烧损的合金构成，其中所述合金由具有0.01到10％重量的铬和/或锆的铜、或者由具有0.1到0.5％重量的铬和/或银的铜构成。