公开(公告)号：CN111373548A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075372.7

申请日：2018-08-24

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 增茂邦雄 ,  石桥奈央 ,  中村伸宏 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。

公开(公告)号：CN111406324A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201880076573.9

申请日：2018-10-30

Applicant: AGC株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 细野秀雄 ,  金正焕 ,  方俊皓 ,  云见日出也 ,  渡边晓 ,  大越雄斗 ,  宫川直通 ,  石桥奈央 ,  增茂邦雄 ,  中村伸宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0248 ,  H01L51/50

Abstract: 一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H-被氟离子F-置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F-。

公开(公告)号：CN110418773A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。

公开(公告)号：CN115551818A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180032924.8

申请日：2021-05-07

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 大越雄斗 ,  篠原伸广

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/00 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明适当地制造致密的陶瓷烧结体。陶瓷烧结体的制造方法包括如下步骤：将作为陶瓷粉末的成型体的陶瓷成型体在第1条件下进行热处理的步骤，将在第1条件下进行了热处理的陶瓷成型体在压力比第1条件高的第2条件下进行热处理的步骤，以及将在第2条件下进行了热处理的陶瓷成型体在压力比第2条件高的第3条件下进行热处理而制造陶瓷烧结体的步骤。

公开(公告)号：CN110418773B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201880017832.0

申请日：2018-03-08

Applicant: AGC株式会社

Inventor： 小川修平 ,  宫川直通 ,  篠崎泰夫 ,  吉野晴彦 ,  远山一成 ,  大越雄斗

IPC: C04B35/00

Abstract: 本发明涉及一种透光性陶瓷烧结体，其以10个/mm3以上且4000个/mm3以下的范围包含孔径为1μm以上且不足5μm的气泡，并且闭孔率为0.01体积％以上且1.05体积％以下。这种透光性陶瓷烧结体中，厚度为1.90mm的试验片在波长500～900nm的可见光谱下的平均透过率为70％以上，并且厚度为1.90mm的试验片在0.5mm的光梳宽度下的清晰度为60％以上。