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公开(公告)号：CN119518276A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410912517.1
申请日：2024-07-09
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 一种天线装置，具备：在内侧形成波导管路(12a)的波导管部(12)；以及在内侧形成经由供电开口(14)而与所述波导管路连通的腔室(15)的腔室形成部(16)。在沿着高度方向(Dh)和宽度方向(Dw)的剖面即一方向剖面中，腔室形成部的第一侧壁(163a)的倾斜状壁面(163f)以从供电开口至倾斜状壁面为止的宽度方向上的距离(W1)越靠高度方向的一侧则越大的方式形成。另外，在一方向剖面中，腔室形成部的第二侧壁(163b)的倾斜状壁面(163h)也以从供电开口至倾斜状壁面为止的宽度方向上的距离(W2)越靠高度方向的一侧则越大的方式形成。
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公开(公告)号：CN111834888B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202010229206.7
申请日：2020-03-27
Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 提供半导体光放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大器具备：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板面并沿预先决定的方向延伸而形成的导电区域、以及形成在所述导电区域的周围的非导电区域，该光放大部将从所述光源部沿所述预先决定的方向传播的传播光放大，并将放大后的所述传播光朝向与所述基板面交叉的出射方向射出。所述导电区域在从与所述基板面垂直的方向观察的情况下，具有第1区域和第2区域，该第1区域从所述光源部以预先决定的宽度延伸，该第2区域与所述第1区域连续，并且该第2区域被扩宽了所述预先决定的宽度，使所述传播光在与所述预先决定的方向交叉的方向上扩展。
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公开(公告)号：CN112074607B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980029877.4
申请日：2019-04-11
Applicant: 第一工业制药株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C12P19/00
Abstract: 本发明主要在纤维寡糖的酶合成中抑制高聚合度的纤维寡糖的生成。提供一种纤维寡糖的制造方法，包含以下工序：使α‑葡萄糖‑1‑磷酸和选自由葡萄糖、纤维二糖和烷基化葡萄糖组成的组中至少一种引物，在含有水和水溶性有机溶剂的混合溶剂中，与纤维糊精磷酸化酶反应。
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公开(公告)号：CN118235140A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075076.3
申请日：2022-09-14
Applicant: 株式会社QUEMIX , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 本发明提供一种信息处理方法等，进一步抑制量子位的指数函数测量次数。根据本发明的一种方式，提供一种信息处理方法。该信息处理方法具备以下各步骤。在变换步骤中，使用少于(n/2)个辅助位，将对n个量子位的算符变换为酉门。酉门具有能够直接实现算符的形式。在电路生成步骤中，基于酉门生成量子电路，量子电路在辅助位被观测为预定状态时作为时间演化算符发挥功能。
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公开(公告)号：CN117836237A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280053812.5
申请日：2022-07-27
Applicant: AGC株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C01B6/04 , C04B35/00 , H01M10/0562
Abstract: 一种氢负离子导体，通式由式(1)表示，Ba2－x－mAxMg1－y－nByH6－x－y－2m－2n (1)，其中，A和B分别选自Li、Na、K、Rb和Cs中至少1种以上，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.2，0≤n≤0.2，其中不包括x＝y＝m＝n＝0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117794848A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280050298.X
申请日：2022-07-14
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 国立大学法人筑波大学
Abstract: 本发明提供一种含硼化氢组合物、产氢系统以及燃料电池系统，其使用含硼化氢片来实现氢供给源性能的进一步提高。本发明所涉及的含硼化氢组合物含有含硼化氢片和电子供体，含硼化氢片具有包括(BH)n(n≥4，且n为整数)的二维网络。电子供体的至少一部分被承载于含硼化氢片，通过外部刺激，电子供体的电子被供给至含硼化氢片，氢从注入了该电子的含硼化氢片产生。
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公开(公告)号：CN114380276B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111149808.2
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社电装 , 国立大学法人筑波大学 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C01B3/04
Abstract: 一种氢气发生器，包括反应容器(13)、供水装置(10)、温度调节器(14)和控制器(21)。反应容器容纳具有产氢能力的产氢材料。产氢材料包括二维硼化氢片，二维硼化氢片具有二维网络并含有多个带负电的硼原子。控制器被配置成执行由产氢材料产生氢的产氢模式以及恢复产氢材料的产氢能力的再生模式。控制器控制温度调节器以在产氢模式期间将产氢材料加热到第一预定温度。在再生模式期间，控制器控制温度调节器以将产氢材料的温度调节至第二预定温度，并控制供水装置以供水。
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公开(公告)号：CN114423820B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080052767.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 佳能株式会社
Abstract: 本发明旨在通过将负热膨胀性材料添加到热塑性树脂并热加工时通过抑制负热膨胀性质的功能劣化而获得具有低的热膨胀性质的树脂组合物。本发明提供包括具有负热膨胀性质的金属氧化物颗粒和热塑性树脂的树脂组合物。颗粒的负热膨胀性归因于由构成金属之间的电子转移驱动的晶相转变，并且在颗粒和热塑性树脂之间形成抑制电子转移的共价保护层。
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公开(公告)号：CN112640137B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980040362.4
申请日：2019-09-11
Applicant: TDK株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: H10N30/853 , B41J2/14 , G11B5/58 , G11B21/10 , H10N30/20 , H10N30/30 , H10N30/079 , H02N2/02
Abstract: 介电薄膜包含金属氧化物，金属氧化物包含铋、钠、钡和钛，金属氧化物的至少一部分为具有钙钛矿结构的正方晶，至少一部分的正方晶的(100)面在介电薄膜3的表面的法线方向dn上取向。
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公开(公告)号：CN117157264A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280027100.6
申请日：2022-04-06
Applicant: 日本特殊陶业株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC: C04B35/50
Abstract: 本发明的陶瓷材料包含La‑Mo系复合氧化物以及选自由Si和Al组成的组中的至少1种第一元素，前述第一元素的含量大于0质量％且为0.5质量％以下。
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