公开(公告)号：CN118859631A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410494609.2

申请日：2024-04-24

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： J·R·A·阿丰索 ,  Y·孙 ,  冉凡勇 ,  J·S·尼古拉斯 ,  刘泽铖

IPC分类号： G03F7/16

摘要： 公开了形成包括粘合层的结构的方法和包括粘合层的结构。粘合层可以包括氮。该方法可以包括形成覆盖粘合层并与之接触的金属氧化物抗蚀剂。示例性方法还包括形成光致抗蚀剂底层。

公开(公告)号：CN116949433A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310423857.3

申请日：2023-04-19

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： 冉凡勇 ,  刘泽铖 ,  久保田智广 ,  吉田嵩志 ,  冈部介

IPC分类号： C23C16/515 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

摘要： 公开了在衬底表面上形成碳氧化硅层的方法。示例性方法包括向反应室提供无氧反应物，并执行一个或多个沉积循环，其中每个沉积循环包括在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，并且在等离子体功率周期内提供等离子体功率，以形成碳氧化硅层。示例性硅前体包括含有硅、氧、碳和可选的氮的分子。硅前体可以进一步包括以下中的一个或多个：(i)一个或两个硅‑氧键，(ii)一个或两个硅‑碳键，或(iii)一个碳‑碳双键。