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发明公开
形成半导体结构的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118692990A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410305441.6

申请日：2024-03-18

申请人： ASM IP私人控股有限公司

发明人： D·乔杜里 , J·L·温克勒 , K·穆拉普迪 , M·巴尔西努 , M·施莫策

IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8238 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/04 , C23C16/455

摘要： 公开了用于形成半导体结构的方法。该方法包括通过在包括第一区域和第二区域的衬底上沉积第一硬掩模层和第二硬掩模层来形成双层硬掩模。形成的示例性结构可以包括CMOS器件结构。