公开(公告)号：CN109314045B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN201780023966.9

申请日：2017-04-07

Applicant: ASM IP 控股有限公司 ,  微电子研究中心

Inventor： W·克纳平 ,  J·W·梅斯 ,  M·斯托霍夫 ,  R·格朗海德 ,  H·P·斯里拉曼

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 一种藉由以下步骤于基底上形成定向自组装(DSA)层的方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。

公开(公告)号：CN109314045A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780023966.9

申请日：2017-04-07

Applicant: ASM ,  IP ,  控股有限公司 ,  微电子研究中心

Inventor： W·克纳平 ,  J·W·梅斯 ,  M·斯托霍夫 ,  R·格朗海德 ,  H·P·斯里拉曼

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 一种藉由以下步骤于基底上形成定向自组装(DSA)层的方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。