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公开(公告)号：CN113067385B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110366183.9
申请日：2021-04-06
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明涉及电池单元充放电装置，涉及电源领域，交流电通过AC/DC隔离变换模块转换成直流母线上的稳定的直流电，直流母线连接非隔离双向DC/DC转换器和功率多级可调放电装置，非隔离双向DC/DC转换器可将直流母线电压转换成宽范围的可控直流电压给不同电压等级的电池单元充电，也可用于电池单元放电，通过将多余电池能量转换至直流母线，再由功率多级可调放电装置以不同的功率等级放电消耗掉，非隔离双向DC/DC转换器可将其第二端的电压升至或降至目标电池电压，并使第二端的电压控制精度在几十毫伏级别，而同时兼容不同型号的电池单元电压，适应极宽的电压范围，而不用单独使用不同型号的充放电装置，使设计简单，兼容性好。
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公开(公告)号：CN109314045B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780023966.9
申请日：2017-04-07
申请人： ASM IP 控股有限公司 , 微电子研究中心
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/768
摘要： 一种藉由以下步骤于基底上形成定向自组装(DSA)层的方法：提供基底；在所述基底上施加包含自组装材料的层；以及藉由在所述基底周围提供受控的温度及受控的气体环境而将所述层的所述自组装材料退火以形成定向自组装层。所述受控的气体环境以介于10帕至2000帕之间的分压包含含有氧元素的分子。
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公开(公告)号：CN114285711A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111460635.6
申请日：2021-12-02
申请人： 上海科技大学 , (比利时)微电子研究中心 , 布鲁塞尔自由大学
发明人： 刘心哲 , 陈富鹏 , 哈亚军 , 弗兰奇·卡图尔 , 雷伊斯·基扎库姆卡拉·穆罕默德 , 大卫·布林德 , 德西斯拉娃·尼科洛娃 , 彼得·谢尔肯斯
摘要： 本发明的一个技术方案是提供了一种系统中缩放信息传播方法，所述系统同时包含线性可分解变换过程及该线性可分解变换过程的逆过程，其特征在于，所述缩放信息传播方法用于实现数字信号处理DSP中线性可分解变换的位宽优化和节能的硬件实现。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的系统中缩放信息传播方法在定点FFT的VLSI实现中的应用。本发明可以节省例如FFT之类的线性可分解变换操作和缓冲区所消耗的大量能量和面积，而在额外的缩放因子实现中仅增加可忽略的面积。
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公开(公告)号：CN113067385A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110366183.9
申请日：2021-04-06
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明涉及电池单元充放电装置，涉及电源领域，交流电通过AC/DC隔离变换模块转换成直流母线上的稳定的直流电，直流母线连接非隔离双向DC/DC转换器和功率多级可调放电装置，非隔离双向DC/DC转换器可将直流母线电压转换成宽范围的可控直流电压给不同电压等级的电池单元充电，也可用于电池单元放电，通过将多余电池能量转换至直流母线，再由功率多级可调放电装置以不同的功率等级放电消耗掉，非隔离双向DC/DC转换器可将其第二端的电压升至或降至目标电池电压，并使第二端的电压控制精度在几十毫伏级别，而同时兼容不同型号的电池单元电压，适应极宽的电压范围，而不用单独使用不同型号的充放电装置，使设计简单，兼容性好。
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公开(公告)号：CN112816846A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110159395.X
申请日：2021-02-05
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件测试加热台，从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层，所述陶瓷层的厚度不大于5mm；所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽，每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头，所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设，所述温度探头沿所述条形槽的长度方向均匀埋设，所述温度探头与所述陶瓷层的底面接触；所述条形槽内的空隙用填充导热材料进行填充；所述陶瓷层的上方设有用于夹持半导体器件的夹具，使用时在所述半导体器件与所述陶瓷层之间涂上导热材料。本发明质量较轻，移动方便；温度分布均匀，准确可控，调温快速，有利于半导体器件的准确测试。
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公开(公告)号：CN112596158A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526413.5
申请日：2020-12-22
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： G02B6/122
摘要： 本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
摘要： 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN109311052A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780025639.7
申请日：2017-04-07
摘要： 揭露一种使用退火步骤及沈积步骤来形成膜的方法。所述方法包括用于在聚合物内诱发自组装或对齐的退火步骤。所述方法亦包括选择性沈积步骤以在聚合物上达成选择性沈积。
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公开(公告)号：CN113539870B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110704028.3
申请日：2021-06-24
申请人： 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明涉及测试晶圆上一开关元器件的电气特性的方法，涉及晶圆级测试技术，通过控制使得与待测开关元器件并联的一开关元器件导通，则该导通的开关元器件的第一电极与第二电极电连通，则待测开关元器件的第一电极与该导通的开关元器件的第二电极电连通，第二探针接触该导通的开关元器件的第二电极相当于接触待测开关元器件的第一电极，同时第一探针接触待测开关元器件的第二电极，如此可通过第一探针和第二探针测试待测开关元器件的电气特性，因第一探针和第二探针为分别与待测开关元器件和该导通的开关元器件的第二电极对应的探针，因此缩短了待测开关元器件的电气特性测试路径，大大减小了寄生电感，且无需改变测试装置的结构。
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公开(公告)号：CN114285711B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111460635.6
申请日：2021-12-02
申请人： 上海科技大学 , (比利时)微电子研究中心
发明人： 刘心哲 , 陈富鹏 , 哈亚军 , 弗兰奇·卡图尔 , 雷伊斯·基扎库姆卡拉·穆罕默德 , 大卫·布林德 , 德西斯拉娃·尼科洛娃 , 彼得·谢尔肯斯
摘要： 本发明的一个技术方案是提供了一种系统中缩放信息传播方法，所述系统同时包含线性可分解变换过程及该线性可分解变换过程的逆过程，其特征在于，所述缩放信息传播方法用于实现数字信号处理DSP中线性可分解变换的位宽优化和节能的硬件实现。本发明的另一个技术方案是提供了一种上述的系统中缩放信息传播方法在定点FFT的VLSI实现中的应用。本发明可以节省例如FFT之类的线性可分解变换操作和缓冲区所消耗的大量能量和面积，而在额外的缩放因子实现中仅增加可忽略的面积。
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