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公开(公告)号:CN100435270C
公开(公告)日:2008-11-19
申请号:CN200480012991.X
申请日:2004-03-12
申请人: ASML控股股份有限公司
发明人: 海勒里奥·L·奥
CPC分类号: H01L21/67294 , G05B19/41865 , G05B2219/32048 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , Y02P90/20
摘要: 本发明公开了一种至少包括流水线系统和扫描仪系统的半导体晶圆制备系统,该系统当检测到对扫描仪系统中额定周期的偏离时,通过动态地引入时间延迟来补偿所述偏离。优选地,现有的静态等待状态也引入到晶圆配方中,以降低资源冲突的概率。尽管存在这种偏离,仍保持晶圆流的同步,所以所得半导体晶圆制备系统可以增加晶圆生产量。
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公开(公告)号:CN1788332A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200480012991.X
申请日:2004-03-12
申请人: ASML控股股份有限公司
发明人: 海勒里奥·L·奥
CPC分类号: H01L21/67294 , G05B19/41865 , G05B2219/32048 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , Y02P90/20
摘要: 本发明公开了一种至少包括流水线系统和扫描仪系统的半导体晶圆制备系统,该系统当检测到对扫描仪系统中额定周期的偏离时,通过动态地引入时间延迟来补偿所述偏离。优选地,现有的静态等待状态也引入到晶圆配方中,以降低资源冲突的概率。尽管存在这种偏离,仍保持晶圆流的同步,所以所得半导体晶圆制备系统可以增加晶圆生产量。
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