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公开(公告)号：CN112955822A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980073815.3
申请日：2019-10-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。
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公开(公告)号：CN112955822B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201980073815.3
申请日：2019-10-31
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 从EUV或DUV光刻系统中的诸如掩模板平台或晶片平台之类的刻蚀支撑件的工作表面去除污染物的装置和方法，其中将清洁衬底抵靠工作表面按压，清洁衬底设置有由所选材料制成的涂层和配置，使得污染物从工作表面转移到涂层。
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公开(公告)号：CN115668063A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180039120.0
申请日：2021-05-07
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： E·S·斯隆 , A·D·哈拉尔卡 , 丹尼尔·保罗·罗达克
IPC: G03F7/20
Abstract: 所描述的系统包括清洁工具。清洁工具被配置成插入到光刻设备中。该清洁工具包括：主体，被配置成插入到光刻设备中；清洁材料，被配置成在与光刻设备的部分接触时清洁光刻设备的该部分；以及携带清洁材料的薄膜，薄膜被配置成附接到主体并且防止清洁材料与主体的表面接触。例如包括第一层，至少部分地被清洁材料覆盖，以及第二层，被配置成附接到主体的表面并且防止清洁材料与清洁工具的表面接触，第二层被设置在第一层与主体的表面之间。
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