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公开(公告)号：CN101369102B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810145952.7
申请日：2008-08-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7045 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70733 , G03F7/70991
摘要： 本发明公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。
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公开(公告)号：CN101196695A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710193456.4
申请日：2007-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 朱德克斯·玛丽·多米尼克斯·斯多尔德瑞杰 , 埃瑞克·罗洛夫·鲁普斯卓 , 海涅·迈尔·马尔德 , 蒂莫西斯·弗朗西斯克斯·森格斯 , 弗瑞尔克·亚里安·斯多费尔斯 , 劳伦第斯·卡瑞纳斯·乔瑞特斯马 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70108 , G03F7/70216
摘要： 在光刻设备中，修正的辐射过程采用所设置的照射方式实现，以便对其光瞳平面附近的投影系统的元件的所选择的部分进行加热，所述部分在生产曝光过程中相对地未进行加热。所述修正的辐射过程目的是提高加热投影系统的光学元件的均匀性和/或降低相位梯度。
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公开(公告)号：CN101196695B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200710193456.4
申请日：2007-11-27
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 朱德克斯·玛丽·多米尼克斯·斯多尔德瑞杰 , 埃瑞克·罗洛夫·鲁普斯卓 , 海涅·迈尔·马尔德 , 蒂莫西斯·弗朗西斯克斯·森格斯 , 弗瑞尔克·亚里安·斯多费尔斯 , 劳伦第斯·卡瑞纳斯·乔瑞特斯马 , 赖纳·玛丽亚·琼伯鲁特
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70891 , G03F7/70108 , G03F7/70216
摘要： 在光刻设备中，修正的辐射过程采用所设置的照射方式实现，以便对其光瞳平面附近的投影系统的元件的所选择的部分进行加热，所述部分在生产曝光过程中相对地未进行加热。所述修正的辐射过程目的是提高加热投影系统的光学元件的均匀性和/或降低相位梯度。
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公开(公告)号：CN101369102A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810145952.7
申请日：2008-08-14
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7045 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , G03F7/70733 , G03F7/70991
摘要： 本发明公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。
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