公开(公告)号：CN113711129B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202080029676.7

申请日：2020-03-19

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·豪普特曼 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  R·拉赫曼 ,  李嘉鹏

IPC: G03F7/20 ,  G05B19/418 ,  H01L21/66

Abstract: 披露了一种用于产生用于器件制造过程的采样方案的方法，所述方法包括：获得多个处理后的衬底的测量数据时间序列；转换所述测量数据时间序列以获得频域数据；使用所述频域数据来确定时间采样方案；基于根据所述时间采样方案在衬底上所执行的测量来确定由所述时间采样方案所引入的误差偏移；以及确定改进后的时间采样方案以补偿所述误差偏移。

公开(公告)号：CN108713166B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201780015925.5

申请日：2017-02-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·P·施密特-韦弗 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  K·博哈塔查里亚 ,  P·德尔温

IPC: G03F7/20

Abstract: 校正(CPE)被计算用于在控制光刻设备(100)时使用。使用计量设备(140)，测量(200)先前已经被施加光刻工艺的一个或多个衬底上的采样位置处的性能参数。将工艺模型拟合(210)到测量的性能参数，并且针对衬底上的工艺引起的效应提供上采样的估计。使用驱动模型并且至少部分地基于拟合的工艺模型，计算(230)用于在控制光刻设备时使用的校正。对于测量数据(312)可用的位置，将其添加(240)到估计以替换工艺模型值。因此，驱动校正的计算基于作为由工艺模型估计的值(318)的组合的已修改估计(316)并且部分地基于实际测量数据(312)。

公开(公告)号：CN113711129A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080029676.7

申请日：2020-03-19

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·豪普特曼 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  R·拉赫曼 ,  李嘉鹏

IPC: G03F7/20 ,  G05B19/418 ,  H01L21/66

Abstract: 披露了一种用于产生用于器件制造过程的采样方案的方法，所述方法包括：获得多个处理后的衬底的测量数据时间序列；转换所述测量数据时间序列以获得频域数据；使用所述频域数据来确定时间采样方案；基于根据所述时间采样方案在衬底上所执行的测量来确定由所述时间采样方案所引入的误差偏移；以及确定改进后的时间采样方案以补偿所述误差偏移。

公开(公告)号：CN114207527B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202080055502.8

申请日：2020-07-16

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·豪普特曼 ,  C·J·H·兰姆布列支 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  R·拉赫曼 ,  A·鲍斯西恩 ,  R·普什卡尔 ,  E·C·摩斯 ,  E·M·沃克曼 ,  R·沃克曼 ,  R·布林克霍夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种控制半导体制造过程的方法，该方法包括：基于在第一过程步骤之后执行的测量结果获得第一量测数据；基于在第一过程步骤和至少一个另外过程步骤之后执行的测量结果获得第二量测数据；估计对以下过程的贡献：a)至少部分地基于第二量测数据的控制动作，和/或b)至少部分地使用第二量测数据的至少一个另外过程步骤；并且使用第一量测数据和所估计贡献来确定第一过程步骤的关键性能指标(KPI)或者校正。

公开(公告)号：CN114207527A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055502.8

申请日：2020-07-16

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： M·豪普特曼 ,  C·J·H·兰姆布列支 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  R·拉赫曼 ,  A·鲍斯西恩 ,  R·普什卡尔 ,  E·C·摩斯 ,  E·M·沃克曼 ,  R·沃克曼 ,  R·布林克霍夫

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种控制半导体制造过程的方法，该方法包括：基于在第一过程步骤之后执行的测量结果获得第一量测数据；基于在第一过程步骤和至少一个另外过程步骤之后执行的测量结果获得第二量测数据；估计对以下过程的贡献：a)至少部分地基于第二量测数据的控制动作，和/或b)至少部分地使用第二量测数据的至少一个另外过程步骤；并且使用第一量测数据和所估计贡献来确定第一过程步骤的关键性能指标(KPI)或者校正。

公开(公告)号：CN108713166A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780015925.5

申请日：2017-02-22

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： E·P·施密特-韦弗 ,  A·B·伊斯梅尔 ,  K·博哈塔查里亚 ,  P·德尔温

IPC: G03F7/20

Abstract: 校正(CPE)被计算用于在控制光刻设备(100)时使用。使用计量设备(140)，测量(200)先前已经被施加光刻工艺的一个或多个衬底上的采样位置处的性能参数。将工艺模型拟合(210)到测量的性能参数，并且针对衬底上的工艺引起的效应提供上采样的估计。使用驱动模型并且至少部分地基于拟合的工艺模型，计算(230)用于在控制光刻设备时使用的校正。对于测量数据(312)可用的位置，将其添加(240)到估计以替换工艺模型值。因此，驱动校正的计算基于作为由工艺模型估计的值(318)的组合的已修改估计(316)并且部分地基于实际测量数据(312)。