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公开(公告)号：CN113039487B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980075526.7
申请日：2019-10-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·施密特-韦弗 , K·布哈塔查里亚 , M·科思
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定光刻装置的参数的方法，其中该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据(602)，提供第一基底的第一性能数据(604)，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型(606)。该方法还包括获取(608)第二基底的第二高度变化数据，将第二高度变化数据输入(609)到模型(610)，以及通过运行模型确定(612)第二基底的第二性能数据。基于第二性能数据，该方法确定(614)装置的参数。
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公开(公告)号：CN108713166A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015925.5
申请日：2017-02-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·施密特-韦弗 , A·B·伊斯梅尔 , K·博哈塔查里亚 , P·德尔温
IPC: G03F7/20
Abstract: 校正(CPE)被计算用于在控制光刻设备(100)时使用。使用计量设备(140)，测量(200)先前已经被施加光刻工艺的一个或多个衬底上的采样位置处的性能参数。将工艺模型拟合(210)到测量的性能参数，并且针对衬底上的工艺引起的效应提供上采样的估计。使用驱动模型并且至少部分地基于拟合的工艺模型，计算(230)用于在控制光刻设备时使用的校正。对于测量数据(312)可用的位置，将其添加(240)到估计以替换工艺模型值。因此，驱动校正的计算基于作为由工艺模型估计的值(318)的组合的已修改估计(316)并且部分地基于实际测量数据(312)。
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公开(公告)号：CN109154781B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN109073987A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780023568.7
申请日：2017-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·M·G·J·昆斯 , E·P·施密特-韦弗
Abstract: 光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。针对参考衬底，确定跨衬底的局部高度偏差与聚焦信息(诸如所确定的聚焦量)之间的函数关系。随后针对另一衬底(例如，生产衬底)测量高度偏差。使用后续衬底的高度偏差和函数关系确定后续衬底的预测的聚焦信息。然后使用预测的聚焦信息来控制光刻设备以将产品图案施加到产品衬底。
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公开(公告)号：CN109073987B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780023568.7
申请日：2017-04-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： R·M·G·J·昆斯 , E·P·施密特-韦弗
Abstract: 光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。针对参考衬底，确定跨衬底的局部高度偏差与聚焦信息(诸如所确定的聚焦量)之间的函数关系。随后针对另一衬底(例如，生产衬底)测量高度偏差。使用后续衬底的高度偏差和函数关系确定后续衬底的预测的聚焦信息。然后使用预测的聚焦信息来控制光刻设备以将产品图案施加到产品衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109154781A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780029363.X
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G01N21/956 , G03F9/00 , H01L21/66
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN113467195B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN113467195A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110819582.6
申请日：2017-04-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： H·E·切克利 , M·伊什巴士 , W·J·M·范德文 , W·S·C·罗洛夫斯 , E·G·麦克纳马拉 , R·拉赫曼 , M·库珀斯 , E·P·施密特-韦弗 , E·H·A·戴尔维戈奈
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/66 , G01N21/956
Abstract: 在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606'或606”)。响应于使用初步选择的测量位置(610)所获得的测量，动态地选择(202c)所选测量位置的至少一个子集。高度的初步测量可以被用来选择用于对准的测量位置。在本公开的另一方面中，基于诸如高度测量或历史数据之类的补充数据来检测异常值测量。
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公开(公告)号：CN113039487A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201980075526.7
申请日：2019-10-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·施密特-韦弗 , K·布哈塔查里亚 , M·科思
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种确定光刻装置的参数的方法，其中该方法包括提供第一基底的第一高度变化数据(602)，提供第一基底的第一性能数据(604)，以及基于第一高度变化数据和第一性能数据确定模型(606)。该方法还包括获取(608)第二基底的第二高度变化数据，将第二高度变化数据输入(609)到模型(610)，以及通过运行模型确定(612)第二基底的第二性能数据。基于第二性能数据，该方法确定(614)装置的参数。
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公开(公告)号：CN108713166B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780015925.5
申请日：2017-02-22
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： E·P·施密特-韦弗 , A·B·伊斯梅尔 , K·博哈塔查里亚 , P·德尔温
IPC: G03F7/20
Abstract: 校正(CPE)被计算用于在控制光刻设备(100)时使用。使用计量设备(140)，测量(200)先前已经被施加光刻工艺的一个或多个衬底上的采样位置处的性能参数。将工艺模型拟合(210)到测量的性能参数，并且针对衬底上的工艺引起的效应提供上采样的估计。使用驱动模型并且至少部分地基于拟合的工艺模型，计算(230)用于在控制光刻设备时使用的校正。对于测量数据(312)可用的位置，将其添加(240)到估计以替换工艺模型值。因此，驱动校正的计算基于作为由工艺模型估计的值(318)的组合的已修改估计(316)并且部分地基于实际测量数据(312)。
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