公开(公告)号：CN113396363B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202080012376.8

申请日：2020-01-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 ,  F·J·蒂默曼 ,  F·维特布罗德 ,  J·M·麦克纳马拉 ,  J·M·芬德尔斯

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/24

Abstract: 一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。

公开(公告)号：CN113396363A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202080012376.8

申请日：2020-01-02

Applicant: ASML荷兰有限公司

Inventor： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 ,  F·J·蒂默曼 ,  F·维特布罗德 ,  J·M·麦克纳马拉 ,  J·M·芬德尔斯

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/24

Abstract: 一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。