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公开(公告)号：CN109661616B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201780052912.5
申请日：2017-08-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种调整图案化叠层的方法，所述方法包括：定义函数，该函数对代表与转印到衬底上的图案化叠层中的图案有关的物理特性的参数如何受到图案化叠层变量的变化的影响进行度量，所述图案化叠层变量代表所述图案化叠层的材料层的物理特性；通过硬件计算机系统来改变所述图案化叠层变量，并且通过所述硬件计算机系统来评估与改变的图案化叠层变量相关的所述函数，直到满足结束条件为止；以及当满足结束条件时，输出所述图案化叠层变量的值。
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公开(公告)号：CN103207516A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310013801.7
申请日：2013-01-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
Abstract: 本发明涉及一种光刻掩模、光刻设备和方法。光刻掩模具有基底，所述基底对于特定波长的辐射是基本上透射性的，所述基底具有成图案形式的辐射吸收材料，所述图案配置成施加另一图案至所述特定波长的辐射束的横截面，其中所述吸收材料具有基本上等于所述特定波长除以吸收材料的折射率的厚度。
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公开(公告)号：CN101923285A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010198859.X
申请日：2010-06-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·尼古尔斯基 , J·M·芬德尔斯 , R·J·S·格劳恩迪吉克
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F7/40 , G03F7/70533 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/0338
Abstract: 本发明提供一种光刻方法和布置。所述光刻方法包括：使第一材料层在辐射束下曝光以便在第一层中形成第一图案特征，第一图案特征具有侧壁；并且控制所述辐射束的聚焦特性以控制所述侧壁的侧壁角度；在第一图案特征上形成第二材料层以在第一图案的侧壁上形成覆盖层；去除第二层的一部分，在所述第一图案的侧壁上留下所述第二材料层的覆盖层；去除由第一层形成的第一图案，在衬底上留下在所述第一图案特征的侧壁上形成覆盖层的所述第二层的至少一部分，所述第二层留在衬底上的所述部分在与被去除的第一图案特征的侧壁的位置邻近的位置上形成第二图案特征。
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公开(公告)号：CN107003625A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580068502.0
申请日：2015-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/201 , G02B17/0652 , G02B17/0657 , G03F1/72 , G03F7/70125 , G03F7/70275 , G03F7/705
Abstract: 一种方法包括：测量光刻图案形成装置的三维形貌的属性，所述图案形成装置包括图案且被构造和布置成在光刻投影系统中的投影辐射束的横截面中产生图案；计算由所测量的属性导致的波前相位效应；将所计算的波前相位效应合并到光刻投影系统的光刻模型中；和基于包括所计算的波前相位效应的光刻模型来确定用在使用光刻投影系统的成像操作中的参数。
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公开(公告)号：CN101866117A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010163948.0
申请日：2010-04-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70308 , G03F7/70258 , G03F7/70266 , G03F7/70283
Abstract: 本发明公开了一种器件制造方法和光刻设备。具体地，一种掩模被用于印刷图案。由于掩模图案表面拓扑，会发生图像误差，例如在所投影图案中的相邻亮线之间的强度不平衡。为了帮助消除或减轻强度不平衡的问题，投影系统可以包括光学相位调节器，其构造并布置成调节穿过调节器的辐射束的光学束的电场的相位。通过适当地调节从掩模图案发射的零级、正第一级和负第一级衍射辐射的相位实现减小强度不平衡。通过有差别地调节照射的不同部分的相位，所述方法可以应用使得不会发生例如由于零级衍射引起的焦深的减小。
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公开(公告)号：CN107111244A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069138.X
申请日：2015-11-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/706 , G03F7/70125 , G03F7/70441 , G03F7/705
Abstract: 一种方法包括：对于由光刻图案形成装置的图案的辐射进行的照射，获得由所述图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；以及基于该波前相位信息且使用计算机处理器来调整照射的参数和/或调整该图案的参数。
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公开(公告)号：CN107111243A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069136.0
申请日：2015-11-26
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F1/70 , G03F7/20 , G03F7/70616 , G03F7/705
Abstract: 一种方法包括：获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的波前相位信息；以及基于该波前相位信息且使用计算机处理器来调整该图案的物理参数。
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公开(公告)号：CN107111239A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068449.4
申请日：2015-11-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： J·M·芬德尔斯
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/705 , G03F7/70083 , G03F7/70433 , G03F7/706
Abstract: 一种方法包括：测量光刻图案形成装置的图案的特征的三维形貌；和根据测量结果计算由图案的三维形貌所导致的波前相位信息。
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公开(公告)号：CN101866117B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010163948.0
申请日：2010-04-16
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70308 , G03F7/70258 , G03F7/70266 , G03F7/70283
Abstract: 本发明公开了一种器件制造方法和光刻设备。具体地，一种掩模被用于印刷图案。由于掩模图案表面拓扑，会发生图像误差，例如在所投影图案中的相邻亮线之间的强度不平衡。为了帮助消除或减轻强度不平衡的问题，投影系统可以包括光学相位调节器，其构造并布置成调节穿过调节器的辐射束的光学束的电场的相位。通过适当地调节从掩模图案发射的零级、正第一级和负第一级衍射辐射的相位实现减小强度不平衡。通过有差别地调节照射的不同部分的相位，所述方法可以应用使得不会发生例如由于零级衍射引起的焦深的减小。
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公开(公告)号：CN113396363B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202080012376.8
申请日：2020-01-02
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 玛丽亚-克莱尔·范拉尔 , F·J·蒂默曼 , F·维特布罗德 , J·M·麦克纳马拉 , J·M·芬德尔斯
Abstract: 一种衰减相移图案形成装置包括：第一部件，用于反射辐射；以及第二部件，用于以相对于从所述第一部件反射的辐射不同相位反射辐射，所述第二部件覆盖所述第一部件的所述表面的至少一部分，使得包括所述第一部件的至少一个未覆盖部分的图案被形成用于在使用中的光刻设备中生成图案化辐射束，其中所述第二部件包括具有实部(n)小于0.95并且虚部(k)小于0.04的折射率的材料。
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