公开(公告)号：CN109690413A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201780056049.0

申请日：2017-08-28

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·范德艾登 ,  C·M·诺普斯 ,  T·W·波莱 ,  F·L·寇肯斯 ,  G·塔娜萨 ,  R·H·M·考蒂 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  E·范弗利特 ,  N·坦凯特 ,  M·J·H·弗雷肯 ,  J·L·范埃尔沃 ,  M·M·C·F·托因尼森

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种流体处理结构(12)，其配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域，所述流体处理结构包括：孔(15)，其形成在所述流体处理结构中，用作使投影束经由通过所述浸没流体而通过所述孔的通道；第一部分(100)；以及第二部分(200)；并且其中，所述第一部分和所述第二部分中的至少一者限定一表面(20)，所述表面适于从所述区域提取所述浸没流体；并且其中，所述流体处理结构适于提供进入或离开所述流体处理结构的所述表面的流体流，并且其中，所述第一部分相对于所述第二部分的移动实现改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置，并且其中，所述第一部分和所述第二部分中的一者包括用于流体流流过的至少一个通孔(51、61)，并且所述第一部分和所述第二部分中的另一者包括用于所述流体流流过的至少一个开口(55、65)，所述至少一个通孔和至少一个开口在被对准时流体连通，所述移动允许所述至少一个开口与所述至少一个通孔中的不同通孔对准，由此改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置。

公开(公告)号：CN113156772A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110337094.1

申请日：2017-08-28

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·范德艾登 ,  C·M·诺普斯 ,  T·W·波莱 ,  F·L·寇肯斯 ,  G·塔娜萨 ,  R·H·M·考蒂 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  E·范弗利特 ,  N·坦凯特 ,  M·J·H·弗雷肯 ,  J·L·范埃尔沃 ,  M·M·C·F·托因尼森

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种流体处理结构及浸没光刻设备，该流体处理结构配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域，包括：孔，用作使投影束经由通过浸没流体而通过流体处理结构的通道；第一部分；第二部分；它们中的至少一者限定一表面，适于从区域提取浸没流体；流体处理结构适于提供进入或离开流体处理结构的表面的流体流，第一部分相对于第二部分的移动实现改变进入或离开表面的流体流相对于孔的位置，两部分中的一者包括用于流体流流过的至少一个通孔，两部分中的另一者包括用于流体流流过的至少一个开口，至少一个通孔和至少一个开口在被对准时流体连通，该移动允许至少一个开口与至少一个通孔中的一个通孔对准，由此改变进入或离开表面的流体流相对于孔的位置。

公开(公告)号：CN109690413B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201780056049.0

申请日：2017-08-28

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： P·范德艾登 ,  C·M·诺普斯 ,  T·W·波莱 ,  F·L·寇肯斯 ,  G·塔娜萨 ,  R·H·M·考蒂 ,  K·库依皮尔斯 ,  H·S·布登贝格 ,  G·L·加托比焦 ,  E·范弗利特 ,  N·坦凯特 ,  M·J·H·弗雷肯 ,  J·L·范埃尔沃 ,  M·M·C·F·托因尼森

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 一种流体处理结构(12)，其配置成将浸没流体限制到光刻设备的一区域，所述流体处理结构包括：孔(15)，其形成在所述流体处理结构中，用作使投影束经由通过所述浸没流体而通过所述孔的通道；第一部分(100)；以及第二部分(200)；并且其中，所述第一部分和所述第二部分中的至少一者限定一表面(20)，所述表面适于从所述区域提取所述浸没流体；并且其中，所述流体处理结构适于提供进入或离开所述流体处理结构的所述表面的流体流，并且其中，所述第一部分相对于所述第二部分的移动实现改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置，并且其中，所述第一部分和所述第二部分中的一者包括用于流体流流过的至少一个通孔(51、61)，并且所述第一部分和所述第二部分中的另一者包括用于所述流体流流过的至少一个开口(55、65)，所述至少一个通孔和至少一个开口在被对准时流体连通，所述移动允许所述至少一个开口与所述至少一个通孔中的不同通孔对准，由此改变进入或离开所述表面的流体流相对于所述孔的位置。