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公开(公告)号：CN102265220A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152725.X
申请日：2009-12-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 第一目标群和第二目标群蚀刻在衬底中。第二目标群具有相对于第一目标群的不对称性。这能够允许区分不同的目标群并且确定不同目标群的特性。
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公开(公告)号：CN104919372A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380062245.0
申请日：2013-10-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： W·J·格鲁特吉恩斯 , M·加西亚格兰达 , J·克里斯特 , H·麦根斯 , 徐路
IPC: G03F7/20 , G01N21/47 , G01N21/956
CPC classification number: G01N21/95607 , G01N21/47 , G01N2021/4792 , G01N2201/06113 , G01N2201/12 , G03F7/70133 , G03F7/70558 , G03F7/70625 , G03F7/70641
Abstract: 一种确定通过使用例如光栅等周期图案的光刻过程产生的结构的光刻品质的方法检测光刻过程窗口边缘并优化过程条件。方法的步骤为：602：通过使用光栅图案的光刻过程印刷结构；604：选择第一特性，例如偏振方向，用于照射；606：用具有第一特性的入射辐射照射该结构；608：检测散射辐射：610：选择第二特性，例如不同的偏振方向，用于照射；612：用具有第二特性的入射辐射照射该结构；614：检测散射辐射；616：旋转一个或多个角度分辨光谱以排列偏振，由此校正不同偏振取向；618：确定测量的角度分辨光谱之间的差；和620：使用确定的差确定结构的光刻品质的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102576188A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045674.3
申请日：2010-09-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F1/84 , G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70625
Abstract: 一种通过重构确定衬底上的对象的近似结构的系统和方法。其可以被应用于例如显微结构的基于模型的量测中，例如以便估计光刻设备的重叠性能或临界尺寸(CD)。散射仪被用以确定对象的近似结构，例如衬底上的叠层上的光栅。晶片衬底具有上层和下层。衬底包括第一散射测量目标区域，包括叠层对象上的光栅。叠层上的光栅由上层和下层构成。上层被图案化具有周期性光栅。衬底还具有相邻的第二散射测量目标区域，其中没有上层。第二区域仅具有未图案化的下层。
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公开(公告)号：CN102498441B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201080034105.9
申请日：2010-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
Abstract: 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
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公开(公告)号：CN102265220B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980152725.X
申请日：2009-12-21
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/70616 , G03F7/70625 , G03F7/70633
Abstract: 第一目标群和第二目标群蚀刻在衬底中。第二目标群具有相对于第一目标群的不对称性。这能够允许区分不同的目标群并且确定不同目标群的特性。
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公开(公告)号：CN102576188B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080045674.3
申请日：2010-09-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F1/84 , G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70625
Abstract: 一种通过重构确定衬底上的对象的近似结构的系统和方法。其可以被应用于例如显微结构的基于模型的量测中，例如以便估计光刻设备的重叠性能或临界尺寸(CD)。散射仪被用以确定对象的近似结构，例如衬底上的叠层上的光栅。晶片衬底具有上层和下层。衬底包括第一散射测量目标区域，包括叠层对象上的光栅。叠层上的光栅由上层和下层构成。上层被图案化具有周期性光栅。衬底还具有相邻的第二散射测量目标区域，其中没有上层。第二区域仅具有未图案化的下层。
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公开(公告)号：CN102498441A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080034105.9
申请日：2010-07-27
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G01B11/02 , G01B11/22 , G01B11/24 , G01B11/30 , G01N21/47 , G01N21/88 , G03F7/70608 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/7065
Abstract: 在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
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