公开(公告)号：CN106062635B

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201580010021.4

申请日：2015-02-10

申请人： ASML荷兰有限公司 ,  卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 ,  S·米古拉 ,  B·柯尼尔

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造为支撑掩模，所述掩模包括图案化区域，所述图案化区域能够将图案在EUV辐射束的横截面内赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束，其中所述支撑结构在扫描方向上能够移动；衬底台，所述衬底台被构造为保持衬底，其中所述衬底台在扫描方向上能够移动；和投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底的曝光区上，其中所述投影系统在扫描方向上的缩小率大于在与扫描方向垂直的第二方向上的缩小率，并且其中在第二方向上的缩小率大于4x。

公开(公告)号：CN106062635A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580010021.4

申请日：2015-02-10

申请人： ASML荷兰有限公司 ,  卡尔蔡司SMT有限责任公司

发明人： 简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特 ,  S·米古拉 ,  B·柯尼尔

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造为支撑掩模，所述掩模包括图案化区域，所述图案化区域能够将图案在EUV辐射束的横截面内赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束，其中所述支撑结构在扫描方向上能够移动；衬底台，所述衬底台被构造为保持衬底，其中所述衬底台在扫描方向上能够移动；和投影系统，所述投影系统被配置为将图案化的辐射束投影到衬底的曝光区上，其中所述投影系统在扫描方向上的缩小率大于在与扫描方向垂直的第二方向上的缩小率，并且其中在第二方向上的缩小率大于4x。