公开(公告)号：CN101775257A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910000511.2

申请日：2009-01-14

申请人： AXT公司

发明人： 谭开燮 ,  张捷 ,  杨三贵

IPC分类号： C09G1/18 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02024 ,  C09G1/02

摘要： 本发明涉及用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液和机械化学粗抛光方法，本发明的用于GaAs晶片的机械化学粗抛光溶液，除水以外，包括二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、焦磷酸盐、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明的机械化学粗抛光方法，包括在机械化学粗抛光设备中，在所述抛光溶液存在下，对晶片实施机械化学粗抛光。采用本发明的溶液和方法，可以提高GaAs晶片的平整度质量，以及晶片表面镜面质量，同时能够降低机械化学粗抛光作业成本及对环境的影响。