用于GaAs晶片的化学抛光溶液和化学抛光方法

    公开(公告)号:CN101781526A

    公开(公告)日:2010-07-21

    申请号:CN200910001587.7

    申请日:2009-01-15

    申请人: AXT公司

    IPC分类号: C09G1/18 H01L21/304

    CPC分类号: C09G1/04 H01L21/02024

    摘要: 本发明涉及用于GaAs晶片的化学抛光溶液和化学抛光方法。本发明的用于GaAs晶片化学抛光的化学抛光溶液,除水以外,其组成是二氯代异氰尿酸盐、磺酸盐、酸式焦磷酸盐、碳酸氢盐和碳酸盐。本发明的化学抛光方法,包括在化学抛光设备中,在所述抛光溶液存在下对晶片实施化学抛光。采用本发明的溶液和方法可以提高晶片质量、降低成本并能够降低对环境的污染。