公开(公告)号：CN103210307B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180048677.7

申请日：2011-10-10

申请人： DNA电子有限公司

发明人： 克里斯托弗·图马祖 ,  阿卜杜勒拉曼·阿勒-阿达尔

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： G01N27/4148 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/045 ,  Y10T436/143333

摘要： 提供了一种用于检测样品的离子浓度变化的半导体器件及使用该半导体器件的方法。该器件包括：多个场效应晶体管（FET），其耦合到公共的浮动栅极；以及离子感测层，其暴露于样品并且耦合到该浮动栅极。还可以存在耦合到浮动栅极的其他输入电压。

公开(公告)号：CN103210307A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180048677.7

申请日：2011-10-10

申请人： DNA电子有限公司

发明人： 克里斯托弗·图马祖 ,  阿卜杜勒拉曼·阿勒-阿达尔

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： G01N27/4148 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/045 ,  Y10T436/143333

摘要： 提供了一种用于检测样品的离子浓度变化的半导体器件及使用该半导体器件的方法。该器件包括：多个场效应晶体管（FET），其耦合到公共的浮动栅极；以及离子感测层，其暴露于样品并且耦合到该浮动栅极。还可以存在耦合到浮动栅极的其他输入电压。