公开(公告)号：CN108711442A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810089420.X

申请日：2018-01-30

申请人： 苏州大学

发明人： 张立军 ,  季爱明 ,  吴澄 ,  陈泽翔 ,  桑胜男 ,  马亚奇 ,  刘金陈 ,  佘一奇

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/045 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/3477 ,  G11C16/3486

摘要： 本发明公开了一种改进的差分架构SONOS Flash存储单元及存储器，该存储单元包括差分对称分布的两个完全相同的SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2，所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极相连，作为整个存储单元的字线;所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的漏极分别连接存储单元的两根源线SL1和SL2;所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的源极分别作为存储单元的两根位线BL1和BL2，并作为一组差分对输入到灵敏放大器中；还包括跨接在所述SONOS晶体管M1和SONOS晶体管M2的栅极的公共端与源线SL1和SL2的公共端之间的PBTI恢复电路。本发明能够有效避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高读取的稳定性，同时能够减少PBTI的影响。

公开(公告)号：CN104464810B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410854986.9

申请日：2014-12-30

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨光军

IPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/045 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L27/11541 ,  H01L29/42324

摘要： 一种存储器及其擦除、编程和读取方法，其中，所述第一隔离单元和第二隔离单元均与所述存储单元的结构相同；所述存储单元的第一掺杂区连接所述第一位线，所述存储单元的第二掺杂区连接所述第二位线；所述第一隔离单元的第二掺杂区连接所述第一位线，所述第二隔离单元的第一掺杂区连接所述第二位线；所述第一隔离单元的第一掺杂区作为所述第一隔离单元的连接端，所述第一隔离单元的第一控制栅结构和第二控制栅结构连接在一起作为所述第一隔离单元的控制端；所述第二隔离单元的第二掺杂区作为所述第二隔离单元的连接端，所述第二隔离单元的第一控制栅结构和第二控制栅结构连接在一起作为所述第二隔离单元的控制端。

公开(公告)号：CN103210307A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180048677.7

申请日：2011-10-10

申请人： DNA电子有限公司

发明人： 克里斯托弗·图马祖 ,  阿卜杜勒拉曼·阿勒-阿达尔

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： G01N27/4148 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/045 ,  Y10T436/143333

摘要： 提供了一种用于检测样品的离子浓度变化的半导体器件及使用该半导体器件的方法。该器件包括：多个场效应晶体管（FET），其耦合到公共的浮动栅极；以及离子感测层，其暴露于样品并且耦合到该浮动栅极。还可以存在耦合到浮动栅极的其他输入电压。

公开(公告)号：CN102668077B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080052404.5

申请日：2010-10-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  小山润

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H03K3/037 ,  H03K3/356 ,  H03K19/00 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/096

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 为了提供新颖的非易失性锁存电路和使用该非易失性锁存电路的半导体器件，非易失性锁存电路包括：具有环形结构的锁存部分，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，且第二元件的输出电连接至第一元件的输入；以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中，使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外，包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管，被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。

公开(公告)号：CN102668077A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052404.5

申请日：2010-10-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  小山润

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/00 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786 ,  H03K3/037 ,  H03K3/356 ,  H03K19/00 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/096

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 为了提供新颖的非易失性锁存电路和使用该非易失性锁存电路的半导体器件，非易失性锁存电路包括：具有环形结构的锁存部分，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，且第二元件的输出电连接至第一元件的输入；以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中，使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外，包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管，被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。

公开(公告)号：CN1835121A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610073912.7

申请日：2006-02-24

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： A·格拉特兹 ,  M·罗里奇

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C16/045 ,  G11C16/0441

摘要： 本发明涉及一种非易失性半导体存储器，包括串联耦合的第一和第二浮动栅晶体管。每个浮动栅晶体管包括浮动栅。耦合到第一和第二浮动栅晶体管的可编程装置可操作地通过将选定的电荷放置在一个浮动栅内以及将小于选定电荷的电荷放置在另一个浮动栅内来表示第一或第二二进制值。

公开(公告)号：CN104332177B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201410541227.7

申请日：2010-10-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  小山润

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C7/04 ,  H01L27/105

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用其的半导体器件。非易失性锁存电路包括：具有环形结构的锁存部分，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，且第二元件的输出电连接至第一元件的输入；以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中，使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外，包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管，被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。

公开(公告)号：CN104934424B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510126062.1

申请日：2015-03-20

申请人： 意法半导体(鲁塞)公司

发明人： M·巴蒂斯塔 ,  F·塔耶特

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L27/11 ,  H01L27/088 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8234 ,  G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C11/418 ,  G11C14/00 ,  G11C11/412

CPC分类号： H01L27/1104 ,  G11C11/4125 ,  G11C11/418 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C16/08 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513

摘要： 一种集成结构包括具有覆在第一栅极电介质之上的第一可控栅极区域的第一MOS晶体管以及邻近第一MOS晶体管并且具有覆在第一栅极电介质之上的第二可控栅极区域的第二MOS晶体管。公共传导区域覆在第一栅极区域和第二栅极区域之上并且通过第二栅极电介质与其分离。公共传导区域包括定位在第一栅极区域和第二栅极区域的部分之上的连续元件以及从连续元件朝向衬底向下延伸直到第一栅极电介质的分支。分支被定位在第一栅极区域和第二栅极区域之间。

公开(公告)号：CN103210307B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201180048677.7

申请日：2011-10-10

申请人： DNA电子有限公司

发明人： 克里斯托弗·图马祖 ,  阿卜杜勒拉曼·阿勒-阿达尔

IPC分类号： G01N27/414

CPC分类号： G01N27/4148 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0441 ,  G11C16/045 ,  Y10T436/143333

摘要： 提供了一种用于检测样品的离子浓度变化的半导体器件及使用该半导体器件的方法。该器件包括：多个场效应晶体管（FET），其耦合到公共的浮动栅极；以及离子感测层，其暴露于样品并且耦合到该浮动栅极。还可以存在耦合到浮动栅极的其他输入电压。

公开(公告)号：CN104332177A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410541227.7

申请日：2010-10-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  小山润

IPC分类号： G11C14/00 ,  G11C7/04 ,  H01L27/105

CPC分类号： H03K3/356104 ,  G11C7/04 ,  G11C14/0063 ,  G11C16/045 ,  G11C2211/4016 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/6659 ,  H03K3/0375 ,  H03K3/286 ,  H03K3/356 ,  H03K3/356121 ,  H03K3/356173

摘要： 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用其的半导体器件。非易失性锁存电路包括：具有环形结构的锁存部分，其中第一元件的输出电连接至第二元件的输入，且第二元件的输出电连接至第一元件的输入；以及用于保持该锁存部分的数据的数据保持部分。在数据保持部分中，使用用氧化物半导体作为用于形成沟道形成区的半导体材料的晶体管作为开关元件。此外，包括了电连接至晶体管的源电极或漏电极的反相器。使用该晶体管，被保持在锁存部分中的数据可被写入反相器的栅极电容器或被独立提供的电容器。