专利检索 ap:("EGTM有限公司") AND inv:"金荷娜" 第 1 页

1.

发明公开
用于区域选择性形成薄膜的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118895491A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410535277.8

申请日：2024-04-30

申请人： EGTM有限公司

发明人： 郑主焕 , 曺贤植 , 李汉斌 , 白善英 , 崔雄辰 , 金荷娜 , 金明镒 , 曺圭镐

IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/04 , C23C16/40

摘要： 提供了一种根据本公开的示例性实施例的用于区域选择性形成薄膜的方法，包括：将包括生长区域和非生长区域的衬底供应到腔室中并使该衬底稳定的衬底准备步骤；将金属前体化合物供应到腔室中并使金属前体化合物吸附到衬底的前体供应步骤；吹扫腔室内部的吹扫步骤；以及将反应材料供应到腔室中以与金属前体化合物反应并形成薄膜的薄膜形成步骤，其中金属前体化合物是由以下化学式1表示的第5族金属前体化合物。[化学式1]#imgabs0#