公开(公告)号：CN107086296A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710073604.2

申请日：2017-02-10

申请人： FDK株式会社 ,  富士通株式会社

发明人： 伊藤武 ,  井本雄三 ,  木原胜 ,  矢野尊之 ,  安岡茂和 ,  土井修一 ,  山﨑貴司 ,  片岡祐治

IPC分类号： H01M4/36 ,  H01M4/52 ,  H01M4/62 ,  H01M10/34

CPC分类号： H01M4/366 ,  C01G51/04 ,  C01G53/04 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/80 ,  H01M4/32 ,  H01M4/50 ,  H01M4/52 ,  H01M10/30 ,  H01M10/345 ,  H01M2004/028 ,  H01M2300/0014 ,  H01M4/624 ,  H01M4/628

摘要： 镍氢二次电池(2)具有由间隔物(28)、正极(24)和负极(26)构成的电极组(22)；正极(24)包含基体粒子(38)和导电层(40)，以及正极活性物质(36)；所述基体粒子(38)由固溶有Mn的氢氧化镍的粒子构成；所述导电层(40)覆盖基体粒子(38)的表面，由Co的化合物构成；所述正极活性物质(36)是以通过XAFS法的测定在6500～6600eV之间检出的Mn的X射线吸收端能量在6548eV以上的正极活性物质(36)。

公开(公告)号：CN105580152B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201380079801.5

申请日：2013-09-27

申请人： 富士通株式会社

发明人： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/441

摘要： 涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚‑[N‑9'‑十七烷基‑2,7‑咔唑‑交替‑5,5‑(4',7'‑二‑2‑噻吩基2',1',3'‑苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液，使其干燥，暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中，由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。

公开(公告)号：CN104737319B

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201280076453.1

申请日：2012-10-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L51/426 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。

公开(公告)号：CN105580152A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380079801.5

申请日：2013-09-27

申请人： 富士通株式会社

发明人： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L51/0036 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0028 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/441

摘要： 涂布含有作为构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)的聚-[N-9'-十七烷基-2,7-咔唑-交替-5,5-(4',7'-二-2-噻吩基2',1',3'-苯并噻二唑)]和作为n型有机半导体材料(4B)的富勒烯衍生物的混合液，使其干燥，暴露于含有与n型有机半导体材料相比优先溶解p型有机半导体材料的溶剂的蒸气的气氛中，由此形成光电转换元件的光电转换层(4)。

公开(公告)号：CN115659164A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210486569.8

申请日：2022-05-06

申请人： 富士通株式会社

发明人： 土井修一

IPC分类号： G06F18/214

摘要： 本发明公开了存储介质、模型生成方法和信息处理设备。非暂态计算机可读存储介质存储有模型生成程序，该模型生成程序使计算机执行包括以下的处理：生成通过回归系数表示具有特征的第一观察矩阵与具有多个样本中的每个样本的特征值的特征向量之间的关系的多个第一系数矩阵；生成直方图，在直方图中，通过将针对多个元素中的每个元素的多个第一系数矩阵中包括的回归系数进行合计而获得的多个总回归系数按照第一观察矩阵中的元素的顺序排列；生成第二观察矩阵，该第二观察矩阵包括通过将对应于直方图中相邻总回归系数为非零的多个第一元素组合成一个元素而获取的第二元素；以及生成表示第二观察矩阵与特征向量之间的关系的第二系数矩阵。

公开(公告)号：CN104737319A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201280076453.1

申请日：2012-10-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 百濑悟 ,  吉川浩太 ,  土井修一

IPC分类号： H01L51/42

CPC分类号： H01L51/426 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电转换元件，具备阳极(2)、阴极(6)和光电转换层(4)，该光电转换层(4)含有构成本体异质结的p型有机半导体材料(4A)和n型有机半导体材料(4B)，作为上述p型有机半导体材料，含有在主链含有咔唑环、芴环或环戊并二噻吩环的非晶性的高分子化合物，作为上述n型有机半导体材料，含有非晶性的富勒烯衍生物，光电转换层在X射线衍射图谱中具有与面间距d＝1.6nm～2.0nm对应的衍射峰。