在ETEM中研究样品的方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102914554B

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201210274899.7

    申请日:2012-08-03

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 本发明涉及在环境透射电子显微镜(ETEM)中的活性气氛中研究样品的方法。这样的研究被用于研究样品与气体的反应(化学的或物理的)。特别所关心的是气体和催化剂的化学反应,以及例如源自在固体上生长的气相的晶须的生长的物理变化(相变)。现有技术研究涉及将所述样品引入到ETEM的样品室内的侧面进入样品支持器上、将所述样品加热到所需的温度、等待所述样品安定到无漂移位置并且随后将所述样品暴露于经加热的活性气体的例如10 mbar的压力。因为所述样品支持器的温度分布随气体的温度和压力而变,当将所述样品支持器暴露于所述气体时,所述样品支持器之上的温度分布将轻微地改变,作为其结果,所述样品将漂移。为了避免所述漂移,或者至少最小化所述漂移,本发明涉及在将所述惰性气体交换为所述活性气体之前在所期望的温度下暴露到惰性气体。本发明也可应用于光学显微镜、X-射线显微镜或扫描探测显微镜。

    在ETEM中研究样品的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102914554A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210274899.7

    申请日:2012-08-03

    Applicant: FEI公司

    Abstract: 本发明涉及在环境透射电子显微镜(ETEM)中的活性气氛中研究样品的方法。这样的研究被用于研究样品与气体的反应(化学的或物理的)。特别所关心的是气体和催化剂的化学反应,以及例如源自在固体上生长的气相的晶须的生长的物理变化(相变)。现有技术研究涉及将所述样品引入到ETEM的样品室内的侧面进入样品支持器上、将所述样品加热到所需的温度、等待所述样品安定到无漂移位置并且随后将所述样品暴露于经加热的活性气体的例如10mbar的压力。因为所述样品支持器的温度分布随气体的温度和压力而变,当将所述样品支持器暴露于所述气体时,所述样品支持器之上的温度分布将轻微地改变,作为其结果,所述样品将漂移。为了避免所述漂移,或者至少最小化所述漂移,本发明涉及在将所述惰性气体交换为所述活性气体之前在所期望的温度下暴露到惰性气体。本发明也可应用于光学显微镜、X-射线显微镜或扫描探测显微镜。

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