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公开(公告)号:CN102832048B
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201210273715.5
申请日:2007-08-10
申请人: H·C·施塔克有限公司
发明人: M·斯坦佐 , A·沙夫 , H·哈斯 , H·布鲁姆 , T·朗格特普 , C·施尼特
IPC分类号: H01G9/042 , H01G9/052
摘要: 本发明包括具有结构化表面的半成品,所述半成品包括经过氧化并且随后再还原的表面,所述表面包含至少一种高熔点金属,本发明还包括这些半成品的制造方法以及它们用于生产高电容组件的应用。
公开(公告)号:CN102832048A
公开(公告)日:2012-12-19