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公开(公告)号：CN102745989A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210168078.5
申请日：2007-07-24
申请人： H·C·施塔克有限公司
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/626 , H01M8/12
CPC分类号： C01G25/00 , B82Y30/00 , C01G25/02 , C01P2002/52 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C04B35/486 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , H01M8/1253 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及含有选自钪、钇、稀土元素和/或它们的组合的金属的氧化物的粉末氧化锆。本发明还涉及它们的生产方法以及它们在燃料电池中的应用，特别是用于生产陶瓷燃料电池中的电解质基底。
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公开(公告)号：CN1300003C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN01823243.4
申请日：2001-09-26
申请人： H·C·施塔克有限公司
IPC分类号： C01G39/00
CPC分类号： C22B34/34 , C01G39/02 , C22B3/02 , Y02P10/234
摘要： 辉钼矿浓缩物在高压氧存在条件下的析出氧化反应中的过程化学，可通过调节作为高压釜排出浆液或滤液循环加入高压釜进料中的铁离子量和过量硫酸的量来控制。发展了一种基于浓缩物和循环分析能够预测高压釜排出物中可溶钼浓度的计算机模型。
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公开(公告)号：CN1537089A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN02806547.6
申请日：2002-03-06
申请人： H·C·施塔克有限公司
发明人： F·策尔
CPC分类号： C23C16/34 , C07C29/70 , C23C16/405 , C07C31/28
摘要： 本发明涉及在氨存在的条件下通过使NbCl5或TaCl5与相应的醇反应来制备铌(V)和钽(V)的烷氧化物，特别是乙氧化铌(V)和乙氧化钽(V)的方法。NbCl5或TaCl5在0℃到－50℃下溶解在醇中，所述醇中以每摩尔待反应的NbCl5或TaCl5计含有5到7摩尔的氨。
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公开(公告)号：CN101801565A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880023411.5
申请日：2008-05-02
申请人： H·C·施塔克公司 , H·C·施塔克有限公司
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F1/0014 , C22C1/045 , C23C4/134 , C23C14/0057 , C23C14/0089 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C24/04 , H01J37/3426 , H01J2237/332
摘要： 本发明涉及溅射靶，它具有小于44μm的细而均匀的等轴晶结构，没有由电子背散射衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向并且在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带。本发明涉及溅射靶，其具有两面凸或平的晶体结构，没有由电子背散衍射(“EBSD”)测得的择优织构取向，在整个靶体上没有出现晶体尺寸带或织构带，并且靶具有分层结构，其包括期望的溅射材料层和在背衬板的界面处的至少一个附加层，附加层的热膨胀系数(CTE)值介于背衬板的CTE值和溅射材料层的CTE值之间。本发明还涉及薄膜及其使用溅射靶的用途及其它应用，如涂层、太阳能器件、半导体器件等。本发明进一步涉及溅射靶的修复或翻新方法。
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公开(公告)号：CN100435249C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN03154892.X
申请日：2003-08-18
申请人： H·C·施塔克有限公司
CPC分类号： H01G9/025 , C08G61/126 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T29/417
摘要： 本发明涉及包含取代的聚(亚烷基二氧噻吩)作为固体电解质的电解电容器及其制备，还涉及包含聚(亚烷基二氧噻吩)的导电层及其制备和应用，其中所述聚(亚烷基二氧噻吩)包含式(I)所示重复单元。
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公开(公告)号：CN1487541A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03154892.X
申请日：2003-08-18
申请人： H·C·施塔克有限公司
CPC分类号： H01G9/025 , C08G61/126 , H01G11/48 , H01G11/56 , Y02E60/13 , Y10T29/417
摘要： 本发明涉及包含取代的聚(亚烷基二氧噻吩)作为固体电解质的电解电容器及其制备，还涉及包含聚(亚烷基二氧噻吩)的导电层及其制备和应用，其中所述聚(亚烷基二氧噻吩)包含式(I)所示重复单元。
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公开(公告)号：CN1531508A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN01823243.4
申请日：2001-09-26
申请人： H·C·施塔克有限公司
IPC分类号： C01G39/00
CPC分类号： C22B34/34 , C01G39/02 , C22B3/02 , Y02P10/234
摘要： 辉钼矿浓缩物在高压氧存在条件下的析出氧化反应中的过程化学，可通过调节作为高压釜排出浆液或滤液循环加入高压釜进料中的铁离子量和过量硫酸的量来控制。发展了一种基于浓缩物和循环分析能够预测高压釜排出物中可溶钼浓度的计算机模型。
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公开(公告)号：CN102745989B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210168078.5
申请日：2007-07-24
申请人： H·C·施塔克有限公司
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/626 , H01M8/12
CPC分类号： C01G25/00 , B82Y30/00 , C01G25/02 , C01P2002/52 , C01P2006/10 , C01P2006/40 , C04B35/486 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6263 , C04B35/62655 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/5409 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/549 , C04B2235/604 , C04B2235/608 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , H01M8/1253 , H01M2300/0077 , Y02E60/525 , Y02P70/56
摘要： 本发明涉及含有选自钪、钇、稀土元素和/或它们的组合的金属的氧化物的粉末氧化锆。本发明还涉及它们的生产方法以及它们在燃料电池中的应用，特别是用于生产陶瓷燃料电池中的电解质基底。
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