公开(公告)号：CN107039064A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610921767.7

申请日：2016-10-21

申请人： HGST荷兰公司

发明人： P.M.布拉干萨 ,  L.万

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/18 ,  H01L27/22

摘要： 本发明涉及具有堆叠中选择器的顶部固定式自旋‑轨道转矩磁阻随机存取存储器(SOT‑MRAM)结构。本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM单元和芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括存储器单元阵列，其具有多个第一引线、多个第二引线和多个存储器单元。多个存储器单元中的每个存储器单元包括MTJ和选择器元件。这些SOT‑MRAM单元消除了使大电流通过MTJ的阻挡层的需求，选择性元件消除了通常在不扰乱相邻存储器单元的情况下选择单个存储器单元所需的大晶体管。

公开(公告)号：CN107045881A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201610939473.7

申请日：2016-10-24

申请人： HGST荷兰公司

发明人： P.M.布拉干萨 ,  H-W.曾 ,  L.万

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/18 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G11C11/18 ,  H01L27/226

摘要： 本公开的实施例总体上涉及数据储存和计算机存储系统，更具体地涉及SOT‑MRAM芯片结构。SOT‑MRAM芯片结构包括多个引线、多个存储器单元以及多个晶体管。引线可以由具有大自旋‑轨道耦合强度和高电阻率的材料制成。每个单独的引线可包括多个第一部分和与第一部分区分开的多个第二部分。第二部分的电阻率小于第一部分的电阻率，所以引线的总电阻率减小，导致改进的功率效率和信噪比。