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公开(公告)号：CN105659327B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201480042759.4
申请日：2014-07-17
申请人： 高通股份有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/02
摘要： 一种装置包括一组数据单元和耦合到该组数据单元的参考单元。该参考单元包括四个磁性隧道结(MTJ)单元，其被配置在用于数据存储的MTJ单元的常规列中。用以配置以及读和写参考单元的电路系统和方法包括描述了在所述的常规列中的四个MTJ单元，其中该四个参考单元被布置成桥形配置，并且其中所述四个MTJ单元中的两个被编程为逻辑1值，并且所述四个MTJ单元中的两个被编程为逻辑0值。
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公开(公告)号：CN109196587A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028722.X
申请日：2017-04-20
申请人： 索尼公司
IPC分类号： G11C14/00 , G11C11/412 , G11C11/419 , G11C7/20 , G11C11/16 , G11C13/00
CPC分类号： G11C14/0081 , G11C7/20 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697 , G11C11/412 , G11C11/4125 , G11C11/419 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C14/0054 , H01L27/228
摘要： 一种半导体电路包括第一电路(IV1、IV3)和第二电路(IV2、IV4)、第一晶体管(31)和第二晶体管(32)、第一存储元件(35)、以及驱动器(22、23、52、53)。所述第一电路(IV1、IV3)和所述第二电路(IV2、IV4)分别将第一节点(N1)和第二节点(N2)处的电压的反相电压施加至所述第二节点(N2)和所述第一节点(N1)。所述第一晶体管(31)被接通以将所述第一节点(N1)和第三节点耦合。所述第二晶体管(32)包括耦合至所述第一节点(N1)的栅极、漏极和源极。所述漏极和所述源极中的一个耦合至所述第三节点，并且另一个被供应第一控制电压(SCL1)。所述第一存储元件(35)包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压(SCTRL)的第二端。所述第一存储元件(35)能够采取第一或第二电阻状态。所述驱动器(22、23、52、53)控制所述第一晶体管(31)的操作并且生成所述第一控制电压(SCL1)和所述第二控制电压(SCTRL)。
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公开(公告)号：CN109036485A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810219002.8
申请日：2018-03-16
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/06 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/22 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L43/14
摘要： 一种四端子磁阻式存储器单元，其包括磁隧道结堆叠体、铁电层以及在磁隧道结堆叠体和铁电层之间的非铁磁自旋极化层。磁隧道结包括具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向的自由层、以及在第一层和自由层之间的绝缘层。非铁磁自旋极化层配置为响应于通过非铁磁自旋极化层的电流和铁电层处接收的电压产生垂直自旋极化。垂直自旋极化在自由层上施加扭矩以改变自由层的磁化方向。
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公开(公告)号：CN109003977A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810466873.X
申请日：2018-05-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L27/24
CPC分类号： H01L27/228 , G11C5/025 , G11C11/1659 , H01L27/224 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L28/20 , H01L43/08
摘要： 集成电路器件可包括：衬底，包括闪速存储器区及可变电阻存储器区；闪速存储器单元晶体管，包括与所述衬底的闪速存储器区交叠的单元栅极电极；可变电阻元件，与所述衬底的可变电阻存储器区交叠；以及选择晶体管，包括设置在所述衬底的可变电阻存储器区中的选择源极/漏极区。所述选择源极/漏极区可电连接到所述可变电阻元件。所述衬底可包括面对所述单元栅极电极及所述可变电阻元件的上表面，且所述衬底的上表面可从所述闪速存储器区连续地延伸到所述可变电阻存储器区。
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公开(公告)号：CN105359217B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480038446.1
申请日：2014-06-27
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 一种磁性单元核心包含接近于磁性区域(例如，自由区域或固定区域)的至少一个应力源结构。所述磁性区域可由展现磁致伸缩的磁性材料形成。在切换期间，所述应力源结构可经受通过所述磁性单元核心的编程电流。响应于所述电流，所述应力源结构的大小可改变。归因于所述大小变化，所述应力源结构可施加应力于所述磁性区域上，且借此改变其磁各向异性。在一些实施例中，可在切换期间降低所述磁性区域的MA强度，使得较低编程电流可用于切换所述自由区域的磁性定向。在一些实施例中，多个应力源结构可包含于所述磁性单元核心中。本发明还揭示制造及操作的方法以及相关装置结构及系统。
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公开(公告)号：CN105917411B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201580004716.1
申请日：2015-01-19
申请人： 高通股份有限公司
发明人： 文清·吴 , 肯德里克·海·良·袁 , 卡里姆·阿拉比
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/18 , G11C11/5607 , H01L43/14
摘要： 本发明的系统和方法是针对多电平单元MLC，其包括：耦合到共同存取晶体管的两个或更多个可编程元件，其中所述两个或更多个可编程元件中的每一者具有一组对应的两个或更多个唯一切换电阻和两个或更多个切换电流特性，以使得在相应两个或更多个切换电阻中配置的所述两个或更多个可编程元件的组合对应于多位二进制状态，所述多位二进制状态可通过使切换电流通过所述共同存取晶体管来控制。所述两个或更多个可编程元件中的每一者包含一或多个混合巨自旋霍尔效应GSHE‑自旋转移力矩STT磁阻随机存取存储器MRAM单元，其中两个或更多个混合GSHE‑STT MRAM单元并联耦合。
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公开(公告)号：CN108140727A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058600.0
申请日：2016-10-05
申请人： 国家科学研究中心 , 原子能和替代能源委员会
发明人： 吉勒斯·高登 , 约安·米哈依·米隆 , 奥利维尔·布勒 , 萨菲尔·查纳图库智依
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/1659 , G11C11/1675
摘要： 本发明涉及磁存储器元件(30)，包括：堆叠部(31)，该堆叠部(31)包括在导电层部(32)和与该导电层不同的层部(36)之间的磁性层部(34)，磁性层具有垂直于层的平面的磁化(35)；金属化部(42)，堆叠部置于该金属化部(42)上；以及第一金属化臂、第二金属化臂、第三金属化臂和第四金属化臂(44D至44G)，每个臂具有中轴线(45D至45G)，其中，对于每个臂而言，电流沿每个臂的中轴线的方向流向堆叠部，在电流看来，对于第一臂和第二臂(44E，44G)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的左边，并且对于第三臂和第四臂(44D，44F)而言堆叠部的最靠近臂的部分大部分在电流的右边。
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公开(公告)号：CN108011038A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711002917.5
申请日：2017-10-24
申请人： TDK株式会社
CPC分类号： H01L43/065 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/04 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明的目的在于，提供一种磁记录性优异且磁化反转所需的电流量小的自旋轨道转矩型磁阻效应元件。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与上述第二铁磁性金属层接合，上述第二铁磁性金属层的磁化的朝向为上述磁阻效应元件的层叠方向，上述第二铁磁性金属层具有形状各向异性，沿着上述第一方向的长度比沿着与上述第一方向及上述层叠方向正交的第二方向的长度更长。
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公开(公告)号：CN105449099B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510666498.X
申请日：2015-10-15
申请人： 上海磁宇信息科技有限公司
CPC分类号： G11C11/1659
摘要： 本发明提供了一种交叉矩阵列式磁性随机存储器，包括若干第一向导线、与所述若干第一向导线间隔且交叉设置的若干第二向导线，以及由所述若干第一向导线和所述若干第二向导线相互交叉所限定的若干交叉节点；每个所述交叉节点均设置有磁记忆单元，所述磁记忆单元分别与其所处交叉节点处的第一向导线和第二向导线电连接；所述磁记忆单元包括磁电阻元件、第一二极管和第二二极管，所述第一二极管与所述第二二极管并联或串联并与所述磁电阻元件电连接，并且所述第一二极管和所述第二二极管的极性连接方向相反；所述磁电阻元件可通过流经其中的电流来改变其电阻态。本发明还提供了上述磁性随机存储器的读写方法。
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公开(公告)号：CN104051611B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410096481.0
申请日：2014-03-14
申请人： 三星电子株式会社
发明人： A.V.克瓦尔科夫斯基 , D.阿帕尔科夫 , M.T.克鲁恩比
CPC分类号： G11C11/18 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675
摘要： 本发明描述了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括双磁性结和自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个双磁性结包括第一和第二参考层、第一和第二非磁性间隔层以及自由层。自由层是磁性的，并且在非磁性间隔层之间。非磁性间隔层在对应的参考层和自由层之间。SO有源层邻近于每个双磁性结的第一参考层。SO有源层由于电流与SO有源层和第一参考层之间的方向基本上垂直地穿过SO有源层而在第一参考层上施加SO扭矩。第一参考层具有通过至少SO扭矩可改变的磁矩。自由层利用被驱动经过双磁性结的自旋转移写入电流而可转换。
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