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公开(公告)号：CN103246014B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310097062.4
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料（例如，氟掺杂的石英玻璃）。该相对折射率差可被表征为（ni-n2）/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN103246014A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310097062.4
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料（例如，氟掺杂的石英玻璃）。该相对折射率差可被表征为（ni-n2）/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN101809475B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880109040.2
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料(例如，氟掺杂的石英玻璃)。该相对折射率差可被表征为(ni-n2)/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN101809475A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109040.2
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料(例如，氟掺杂的石英玻璃)。该相对折射率差可被表征为(ni-n2)/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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