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公开(公告)号：CN101939880B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200980104656.5
申请日：2009-02-04
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： H01S3/063
CPC分类号： H01S3/06737 , G02B6/02042 , H01S3/0057 , H01S3/0085 , H01S3/06704 , H01S3/06712 , H01S3/06729 , H01S3/06741 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/08059 , H01S3/094007 , H01S3/094019 , H01S3/094053 , H01S3/094076 , H01S3/10084 , H01S3/1305 , H01S3/1307 , H01S3/2333 , H01S3/2383
摘要： 本发明披露了用于放大高峰值功率脉冲的大功率平行光纤阵列。可以实施基于各单独光纤放大器的光纤阵列以及基于多芯光纤的光纤阵列。利用各种相位检测和补偿技术来测量和控制光纤阵列的各光纤放大器元件之间的光学相位。大功率光纤阵列放大器可用于EUV和X-射线生成以及参数放大器的泵浦。
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公开(公告)号：CN101939880A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104656.5
申请日：2009-02-04
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： H01S3/063
CPC分类号： H01S3/06737 , G02B6/02042 , H01S3/0057 , H01S3/0085 , H01S3/06704 , H01S3/06712 , H01S3/06729 , H01S3/06741 , H01S3/06745 , H01S3/06754 , H01S3/08059 , H01S3/094007 , H01S3/094019 , H01S3/094053 , H01S3/094076 , H01S3/10084 , H01S3/1305 , H01S3/1307 , H01S3/2333 , H01S3/2383
摘要： 本发明披露了用于放大高峰值功率脉冲的大功率平行光纤阵列。可以实施基于各单独光纤放大器的光纤阵列以及基于多芯光纤的光纤阵列。利用各种相位检测和补偿技术来测量和控制光纤阵列的各光纤放大器元件之间的光学相位。大功率光纤阵列放大器可用于EUV和X-射线生成以及参数放大器的泵浦。
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公开(公告)号：CN103246014A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310097062.4
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料（例如，氟掺杂的石英玻璃）。该相对折射率差可被表征为（ni-n2）/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN103246014B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310097062.4
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料（例如，氟掺杂的石英玻璃）。该相对折射率差可被表征为（ni-n2）/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN102239434B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN200980149170.3
申请日：2009-12-03
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： H01S3/175 , C03C13/046 , G02B6/02347 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/036 , G02B2006/12038 , G02B2006/1209 , H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/1616 , H01S3/1618 , H01S3/163 , H01S3/1691 , H01S3/1693 , H01S3/176 , H01S2301/03 , H04B10/2507
摘要： 本文所述的不同实施例包括激光器和/或放大器系统，所述系统包括在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)。本文所述的不同实施例将泵浦吸收增大到至少约1000dB/m-9000dB/m。所述增益光纤的使用提供了增大的峰值功率和/或脉冲能量。在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)的不同实施例表现出与等量掺杂水平的镱掺杂石英光纤可获得的光暗化水平相比降低的光暗化水平。
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公开(公告)号：CN101809475B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN200880109040.2
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料(例如，氟掺杂的石英玻璃)。该相对折射率差可被表征为(ni-n2)/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN101809475A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200880109040.2
申请日：2008-08-28
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/02
CPC分类号： G02B6/0288 , G02B6/02009 , G02B6/02333 , G02B6/02357 , G02B6/02361 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/0283 , G02B6/14 , H01S3/06729 , H01S3/06754 , H01S3/091 , H01S3/11
摘要： 光纤的实施例可以包括包层结构，所述包层结构包括相对于在其中设有包层结构的包层材料可产生极低相对折射率差的材料(例如，氟掺杂的石英玻璃)。该相对折射率差可被表征为(ni-n2)/ni，其中ni是其中包括由包层结构的包层材料的折射率，而n2是包层结构的折射率。在某些实施例中，相对折射率差可能小于大约4.5×10-3。在不同的实施例中，包层结构的构造包括，例如，包层结构的尺寸和间距，可被选择以便提供对基模的限制，仍然允许二阶模和较高阶模的泄漏，它可以提供模式过滤，单模传播，和/或低弯曲损耗。
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公开(公告)号：CN102239434A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980149170.3
申请日：2009-12-03
申请人： IMRA美国公司
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： H01S3/175 , C03C13/046 , G02B6/02347 , G02B6/02366 , G02B6/02371 , G02B6/036 , G02B2006/12038 , G02B2006/1209 , H01S3/06716 , H01S3/1603 , H01S3/1616 , H01S3/1618 , H01S3/163 , H01S3/1691 , H01S3/1693 , H01S3/176 , H01S2301/03 , H04B10/2507
摘要： 本文所述的不同实施例包括激光器和/或放大器系统，所述系统包括在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)。本文所述的不同实施例将泵浦吸收增大到至少约1000dB/m-9000dB/m。所述增益光纤的使用提供了增大的峰值功率和/或脉冲能量。在磷硅玻璃中具有镱离子的掺杂增益光纤(1404)的不同实施例表现出与等量掺杂水平的镱掺杂石英光纤可获得的光暗化水平相比降低的光暗化水平。
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