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公开(公告)号：CN101075006A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710107555.6
申请日：2007-05-21
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/12026 , G02B6/12016 , G02B6/12019
Abstract: 本发明涉及一种具有减小的驱动电压、耦合到紧凑的低损耗阵列波导光栅(AWG)以提供具有低波动较宽通带的非对称马赫－曾德干涉仪(MZI)。该集成装置具有用于提高产量的紧凑的可堆叠设计。装置的输入和输出被调准成位于一条直线并布置在硅芯片的相对侧，MZI具有与AWG相反的曲率。为了实现这种调准，在光信号被结合并耦合进入AWG之前，MZI的波导臂彼此交叉而没有光耦合。
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公开(公告)号：CN101620296A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810183546.X
申请日：2008-12-18
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/1228 , G02F1/0118
Abstract: 本发明涉及一种光学器件，所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件，包括：定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC)，其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。
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公开(公告)号：CN101620296B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810183546.X
申请日：2008-12-18
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/1228 , G02F1/0118
Abstract: 本发明涉及一种光学器件，所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件，包括：定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC)，其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。
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公开(公告)号：CN101075006B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710107555.6
申请日：2007-05-21
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/12026 , G02B6/12016 , G02B6/12019
Abstract: 本发明涉及一种具有减小的驱动电压、耦合到紧凑的低损耗阵列波导光栅(AWG)以提供具有低波动较宽通带的非对称马赫-曾德干涉仪(MZI)。该集成装置具有用于提高产量的紧凑的可堆叠设计。装置的输入和输出被调准成位于一条直线并布置在硅芯片的相对侧，MZI具有与AWG相反的曲率。为了实现这种调准，在光信号被结合并耦合进入AWG之前，MZI的波导臂彼此交叉而没有光耦合。
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