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公开(公告)号：CN101221295A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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公开(公告)号：CN101620296B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200810183546.X
申请日：2008-12-18
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/1228 , G02F1/0118
Abstract: 本发明涉及一种光学器件，所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件，包括：定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC)，其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。
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公开(公告)号：CN101403840B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810161488.0
申请日：2008-10-06
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 卡尔·基萨 , 格雷戈里·J.·麦克布赖恩
CPC classification number: G02F1/2255 , G02F1/3558 , G02F2203/25
Abstract: 本发明涉及一种包括马赫-曾德尔的外部光调制器，该马赫-曾德尔包括信号电极，该信号电极包含在光电基底中被定位在交变域结构中的至少四个彼此长度不相等的部分，以及包含被非对称地设置在周围部分对之间的中心部分或中心部分对。周围部分对包括与中心部分或部分对相邻的两个部分，与前面的周围部分对相邻的两个部分中的每一部分从中心向外移动到位于RF输入端2和RF输出端4的最终的最外面对Ll和LN。在各对中，各部分的长度是相等的，或者靠近RF输出端4的部分的长度比靠近RF输入端2的部分的长度长。周围部分对的长度从最里面的部分对减少至最外面的对。对于零啁啾结构，对各部分的长度进行选择，以保持畴反转和畴未反转部分的长度相等。本发明已经发现，可以获得对于所有频率的恒定啁啾方案。
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公开(公告)号：CN101620296A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810183546.X
申请日：2008-12-18
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02B6/1223 , B82Y20/00 , G02B6/1228 , G02F1/0118
Abstract: 本发明涉及一种光学器件，所述光学器件包括位于光电衬底(如铌酸锂)上的被光耦合至光电衬底中的波导的无源高约束波导(如以富硅氮化硅材料制成)。此高约束波导结构可以实现多种光电器件，包括：定向耦合器、紧凑型抽头耦合器、折叠式光电器件、包括环形谐振腔的光电调制器、光电光栅。本发明实现的进一步应用还包括集成有光电有源波导的混合无源平面光波回路(PLC)，其采用该高约束波导作为在无源与有源部件之间传递光功率的中间波导。
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公开(公告)号：CN101221294B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810000671.2
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，它包括埋入器件中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。由此用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电化及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极至少与基片以缓冲层部分分隔，在一种实施方式中该缓冲层电导率较低。该导电缓冲层会减小偏压电极带来的光学损耗，也会减小直流漂移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101403840A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810161488.0
申请日：2008-10-06
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 卡尔·基萨 , 格雷戈里·J.·麦克布赖恩
CPC classification number: G02F1/2255 , G02F1/3558 , G02F2203/25
Abstract: 本发明涉及一种包括马赫－曾德尔的外部光调制器，该马赫－曾德尔包括信号电极，该信号电极包含在光电基底中被定位在交变域结构中的至少四个彼此长度不相等的部分，以及包含被非对称地设置在周围部分对之间的中心部分或中心部分对。周围部分对包括与中心部分或部分对相邻的两个部分，与前面的周围部分对相邻的两个部分中的每一部分从中心向外移动到位于RF输入端2和RF输出端4的最终的最外面对L1和LN。在各对中，各部分的长度是相等的，或者靠近RF输出端4的部分的长度比靠近RF输入端2的部分的长度长。周围部分对的长度从最里面的部分对减少至最外面的对。对于零啁啾结构，对各部分的长度进行选择，以保持畴反转和畴未反转部分的长度相等。本发明已经发现，可以获得对于所有频率的恒定啁啾方案。
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公开(公告)号：CN101221294A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810000671.2
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，它包括埋入器件中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。由此用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电化及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极至少与基片以缓冲层部分分隔，在一种实施方式中该缓冲层电导率较低。该导电缓冲层会减小偏压电极带来的光学损耗，也会减小直流漂移。
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公开(公告)号：CN101435969B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810177338.9
申请日：2008-11-17
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 罗曼·T.·罗温斯基 , 格雷戈里·J.·麦克布赖恩 , 卡尔·基萨 , 艾瑞克·利姆
CPC classification number: G02F1/035 , G02F1/0123 , G02F2001/212 , G02F2201/58
Abstract: 本发明公开了一种用于光纤电信的马赫-曾德尔(MZ)干涉型调制器结构，其中以减小的相位跟踪误差可监测工作点的漂移。辐射到MZ调制器的衬底中的自由空间光的一个或多个分量用一个或多个光电探测器进行选择性地探测。描述了适当的求和电路，其根据从MZ辐射的开态和关态光抵消光电探测器中的不需要的光电流份额。
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公开(公告)号：CN101221295B8
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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公开(公告)号：CN101221295B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200810000672.7
申请日：2008-01-14
Applicant: JDS尤尼弗思公司
CPC classification number: G02F1/0316 , G02F1/0356
Abstract: 本发明涉及一种电光调制器结构，所述电光调制器结构包括埋入其中的一组附加偏压电极，用于施加偏压以设置工作点。从而使得用于调制输入光信号的射频电极可以在零直流偏压下工作，减小了非密封包装中可能存在的电子迁移及其他效应造成的电极腐蚀。偏压电极包括上方分支部分和具有光透性的下方部分。具有光透性的下层可以提高调制频率并且降低光损。
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