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公开(公告)号：CN108138313B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201780003433.4
申请日：2017-08-31
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F1/00 , C22C5/04 , C22C28/00 , C22C38/00 , G11B5/64 , G11B5/851 , B22F3/14 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110100042A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201780078453.8
申请日：2017-12-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在溅射室内；一对冷却装置，其用于冷却各平板靶；导电性固定部件，其用于将各平板靶固定于冷却装置，所述一对平板靶具有从各自的侧面延伸的安装部位，在所述安装部位被所述固定部件和所述冷却装置夹持的位置关系下，所述一对平板靶被分别固定在冷却装置上，所述固定部件被绝缘性遮蔽部件覆盖，该绝缘性遮蔽部件不接触所述一对平板靶。
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公开(公告)号：CN108138313A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201780003433.4
申请日：2017-08-31
Applicant: JX金属株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F1/00 , C22C5/04 , C22C28/00 , C22C38/00 , G11B5/64 , G11B5/851 , B22F3/14 , B22F3/15
Abstract: 本发明提供一种能够降低用于使Fe-Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1-αPtα)1-βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。
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公开(公告)号：CN110088352A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078345.0
申请日：2017-12-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：溅射室，其内部能够成为真空；一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在所述溅射室内；一个或两个以上的气体排出口，其用于在所述一对平板靶之间供应溅射气体；用于排出溅射气体的排气口；堆积溅射粒子的部件，其以面向气体排出口的方式隔着一对平板靶之间的空间部配置成位于气体排出口的相反侧；间隔调节机构，其能够调节所述一对平板靶的间隔。
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公开(公告)号：CN110100042B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201780078453.8
申请日：2017-12-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在溅射室内；一对冷却装置，其用于冷却各平板靶；导电性固定部件，其用于将各平板靶固定于冷却装置，所述一对平板靶具有从各自的侧面延伸的安装部位，在所述安装部位被所述固定部件和所述冷却装置夹持的位置关系下，所述一对平板靶被分别固定在冷却装置上，所述固定部件被绝缘性遮蔽部件覆盖，该绝缘性遮蔽部件不接触所述一对平板靶。
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公开(公告)号：CN110088352B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201780078345.0
申请日：2017-12-11
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明提供一种适合长时间稳定地以高溅射率制造溅射靶原料的气流溅射装置。气流溅射装置具备：溅射室，其内部能够成为真空；一对平板靶，其隔着间隔以彼此的溅射面对置的方式配置在所述溅射室内；一个或两个以上的气体排出口，其用于在所述一对平板靶之间供应溅射气体；用于排出溅射气体的排气口；堆积溅射粒子的部件，其以面向气体排出口的方式隔着一对平板靶之间的空间部配置成位于气体排出口的相反侧；间隔调节机构，其能够调节所述一对平板靶的间隔。
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