公开(公告)号：CN108076646B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201780002443.6

申请日：2017-09-12

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤敦

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种能够避免溅射时产生微粒的含有BN的强磁性材料溅射靶。该溅射靶含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，并且具有包括含有强磁性金属的金属相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法分析该组织得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。

公开(公告)号：CN108138313A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201780003433.4

申请日：2017-08-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤敦 ,  高见英生 ,  中村祐一郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C5/04 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种能够降低用于使Fe-Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1-αPtα)1-βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。

公开(公告)号：CN108138313B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201780003433.4

申请日：2017-08-31

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤敦 ,  高见英生 ,  中村祐一郎

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C5/04 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种能够降低用于使Fe‑Pt磁性相有序化的热处理温度的溅射靶，该溅射靶可避免在溅射时产生微粒。该溅射靶是含有Fe、Pt以及Ge的非磁性材料分散型的溅射靶，具有Fe、Pt以及Ge以原子数比计满足(Fe1‑αPtα)1‑βGeβ(α、β是满足0.35≤α≤0.55、0.05≤β≤0.2的数)表示的组成的磁性相，在研磨相对于溅射靶的溅射面垂直的断面后的研磨面的EPMA元素分布图中，该磁性相的Ge的浓度为30质量％以上的Ge基合金相的面积比率(SGe30质量％)的平均值，与根据溅射靶的全体组成计算的Ge的面积比率(SGe)之比(SGe30质量％/SGe)为0.5以下。

公开(公告)号：CN112739846A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980060775.9

申请日：2019-05-16

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 岩渊靖幸 ,  佐藤敦 ,  下宿彰 ,  清水正义

IPC: C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  C22C1/05 ,  C22C5/04 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种含Ru以及硼的溅射靶。该溅射靶的主要成分是Ru，含有熔点比B2O3高且含硼的复合氧化物。

公开(公告)号：CN108076646A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201780002443.6

申请日：2017-09-12

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 佐藤敦

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种能够避免溅射时产生微粒的含有BN的强磁性材料溅射靶。该溅射靶含有1～40at.％的B和1～30at.％的N，并且具有包括含有强磁性金属的金属相和非磁性材料相的组织，通过X射线衍射法分析该组织得到的X射线衍射图谱具有来自立方晶氮化硼的衍射峰。