公开(公告)号：CN111836914A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018192.X

申请日：2019-03-12

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 杉本圭次郎 ,  村田周平

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种钼的含量为99.99质量％以上、相对密度为98％以上、平均晶粒尺寸为400μm以下的溅射靶。

公开(公告)号：CN113272468B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202080008598.2

申请日：2020-01-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 神永贤吾 ,  杉本圭次郎 ,  山田裕贵 ,  村田周平

IPC: C23C14/34 ,  B23K20/00

Abstract: 本发明提供一种可降低成本的溅射靶制品。所述溅射靶制品，包括：靶，背板或背管，嵌件材料的层，所述靶的非溅射面侧的至少一部分轮廓化为具有面对称状的凹凸部，所述嵌件材料的层形成为紧贴所述轮廓化的表面，所述嵌件材料，由比重至少比构成靶的金属更轻的金属形成。

公开(公告)号：CN113272468A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202080008598.2

申请日：2020-01-15

Applicant: JX金属株式会社

Inventor： 神永贤吾 ,  杉本圭次郎 ,  山田裕贵 ,  村田周平

IPC: C23C14/34 ,  B23K20/00

Abstract: 本发明提供一种可降低成本的溅射靶制品。所述溅射靶制品，包括：靶，背板或背管，嵌件材料的层，所述靶的非溅射面侧的至少一部分轮廓化为具有面对称状的凹凸部，所述嵌件材料的层形成为紧贴所述轮廓化的表面，所述嵌件材料，由比重至少比构成靶的金属更轻的金属形成。