铌溅射靶
    2.
    发明公开
    铌溅射靶 审中-实审

    公开(公告)号:CN113574203A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202080021234.8

    申请日:2020-01-28

    Abstract: 提供一种在整个靶寿命中膜厚均匀性优良的铌溅射靶。一种铌溅射靶,在板状的靶的溅射面的中心与外周的中间的位置,将相对于所述溅射面垂直的所述靶的断面,沿所述溅射面的法线方向从所述溅射面侧开始三等分成上部、中央部以及下部,并且使用EBSD法测量该上部、中央部以及下部的晶体取向分布,并对所述上部、中央部以及下部的各个测量区域根据式(1)求出{111}面积率的情况下,所述上部、中央部以及下部的{111}面积率的如式(2)所示的变化率为2.5以下:{111}面积率=测量区域中的{111}面沿所述法线方向取向的晶粒的面积的合计/测量区域整体的面积…式(1);变化率=[最大值-最小值]/最小值…式(2)。

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